1. 物料型号:
- 型号:2N5881、2N5882,均为Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介:
- 2N5881和2N5882是低集电极饱和电压的NPN功率晶体管,与2N5879和2N5880型号互补,适用于通用功率放大和开关应用。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(Base)
- 引脚2:发射极(Emitter)
- 引脚3:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:包括集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、集电极峰值电流(ICM)、基极电流(IB)、总功率耗散(PD)、结温(Tj)和储存温度(Tstg)。
- 热特性:包括结到外壳的热阻(Rthjc)。
5. 功能详解:
- 特性表中列出了在不同条件下的参数,如集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极饱和电压(VBEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(IcBO、ICEO、IcEx)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE)和晶体管频率(fT)。
6. 应用信息:
- 适用于通用功率放大和开关应用。
7. 封装信息:
- 封装类型为TO-3,提供了简化外形图和符号,以及外形尺寸图(Fig.2)。