2N5886

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N5886 - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 20(Min)@IC= 10A ·Low Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A ·Complement to Type 2N5883/5884 APPLICATIONS ·Designed for general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N5885 VCBO Collector-Base Voltage 2N5886 2N5885 VCEO Collector-Emitter Voltage 2N5886 VEBO IC ICM IB PC TJ Tstg Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature 80 5 25 50 7.5 200 200 -65~200 V A A A W ℃ ℃ 80 60 V VALUE 60 V UNIT 2N5885/5886 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 0.875 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5885 IC= 200mA ; IB= 0 2N5886 IC= 15A; IB= 1.5A IC= 25A; IB= 6.25A IC= 25A; IB= 6.25A IC= 10A ; VCE= 4V 2N5885 2N5886 2N5885 2N5886 2N5885 2N5886 VCE= 30V; IB= 0 VCE= 40V; IB= 0 VCE= 60V; VBE(off)= 1.5V VCE= 60V; VBE(off)= 1.5V,TC=150℃ VCE= 80V; VBE(off)= 1.5V VCE= 80V; VBE(off)= 1.5V,TC=150℃ VCB= 60V; IE= 0 VCB= 80V; IE= 0 VEB= 5V; IC=0 IC= 3A ; VCE= 4V IC= 10A ; VCE= 4V IC= 25A ; VCE= 4V IE= 0;VCB= 10V;ftest= 1MHz IC= 1A ; VCE= 10V ;ftest= 1MHz CONDITIONS 2N5885/5886 MIN 60 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V 80 1.0 4.0 2.5 1.5 2.0 mA 2.0 1.0 10 1.0 10 1.0 mA 1.0 1.0 35 20 4 500 4 pF MHz 100 mA V V V V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat) VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage ICEO Collector Cutoff Current ICEX Collector Cutoff Current mA ICBO Collector Cutoff Current IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 COB fT Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain Output Capacitance Current-Gain—Bandwidth Product Switching Times tr tstg tf Rise Time Storage Time Fall Time IC= 10A; IB1= -IB2= 1A;VCC= 30V 0.7 1.0 0.8 μs μs μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2N5886

1. 物料型号：2N5885/5886，这是NPN型功率晶体管。

2. 器件简介：2N5885/5886是ISC品牌的硅NPN功率晶体管，具有20的最小直流电流增益（hFE），低饱和电压（VCE(sat)），并且是型号2N5883/5884的互补型号。该器件适用于通用功率放大器和开关应用。

3. 引脚分配：1. BASE（基极），2. EMITTER（发射极），3. COLLECTOR（集电极）。

4. 参数特性： - 2N5885的集-基电压（VcBO）为60V，2N5886为80V。 - 集-射电压（VCEO）2N5885为60V，2N5886为80V。 - 发-基电压（VEBO）为5V。 - 连续集电极电流（Ic）为25A，峰值集电极电流（ICM）为50A。 - 连续基极电流（IB）为7.5A。 - 集电极功率耗散在Tc=25°C时为200W。 - 结温（TJ）为200°C。 - 存储温度（Tstg）范围为-65~200°C。

5. 功能详解：该晶体管设计用于通用的功率放大和开关应用。

6. 应用信息：适用于一般用途的功率放大器和开关应用。

7. 封装信息：TO-3封装，详细的封装尺寸参数在文档中以表格形式给出，如A（39.00mm）、B（25.30~26.67mm）、C（7.80~8.30mm）等，以及热阻参数Rthj-c（0.875°C/W）。

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