物料型号:
- 型号为2N6029和2N6030。
器件简介:
- 2N6029和2N6030是硅PNP功率晶体管,具有TO-3封装,是2N5629和2N5630的高功耗补充,适用于高电压和高功率放大应用。
引脚分配:
- 1号引脚为基极(Base)。
- 2号引脚为发射极(Emitter)。
- 3号引脚为集电极(Collector)。
参数特性:
- 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、集电极峰值电流(IcM)、基极电流(IB)、总功耗(PD)、结温(Tj)和储存温度(Tstg)。
- 热特性包括结到外壳的热阻(Rijc)。
功能详解和应用信息:
- 2N6029和2N6030用于承受高电压和高功率的场合,具体参数和条件包括保持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VCEsat)、基极-发射极饱和电压(VBEsat)、基极-发射极开启电压(VBE)、集电极截止电流(ICBO)、集电极截止电流(ICEO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE)和输出电容(COB)以及过渡频率(fT)。
封装信息:
- 封装为TO-3,具体尺寸图见文档中的图2,未标注的公差为±0.10mm。