1. 物料型号:
- 型号为2N6029和2N6030,是硅PNP大功率晶体管。
2. 器件简介:
- 2N6029和2N6030是带有TO-3封装的硅PNP大功率晶体管,是2N5629和2N5630的高功耗补充型号,适用于高电压和大功率放大应用。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):2N6029为-100V,2N6030为-120V
- 集电极-发射极电压(VCEO):2N6029为-100V,2N6030为-120V
- 发射极-基极电压(VEBO):-7V
- 集电极电流(Ic):-16A
- 集电极峰值电流(IcM):-20A
- 基极电流(1B):-5.0A
- 总功率耗散(PD):200W(在25°C时)
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-65°C至200°C
5. 功能详解:
- 维持电压(VCEO(SUS)):2N6029和2N6030在IC=-0.2A,IB=0条件下分别为-100V和-120V。
- 饱和电压(VCEsat):在不同IC和IB条件下,VCEsat-1为-1.0V,VCEsat-2为-2.0V。
- 基极-发射极饱和电压(VBEsat):在IC=-10A,IB=-1A条件下为-1.8V。
- 基极-发射极开启电压(VBE):在IC=-8A,VCE=-2V条件下为-1.5V。
- 集电极截止电流(ICBO):在VCB=额定VCBO,IE=0条件下为-1.0mA。
- 发射极截止电流(IEBO):在VEB=-7V,IC=0条件下为-1.0mA。
- 直流电流增益(hFE):在不同IC和VCE条件下,hFE-1为20至80,hFE-2为4至20。
- 输出电容(COB):在IE=0,VCB=-10V,f=0.1MHz条件下为1000pF。
- 过渡频率(fT):在IC=-1A,VCE=-20V条件下为1.0MHz。
6. 应用信息:
- 适用于高电压和大功率放大应用。
7. 封装信息:
- 封装类型为TO-3,具体尺寸见图2,未标明的公差为±0.10mm。