2N6030

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6030 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Complement to type 2N5629 2N5630 ・High power dissipations APPLICATIONS ・For high voltage and high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6029 2N6030 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6029 VCBO Collector-base voltage 2N6030 2N6029 VCEO Collector-emitter voltage 2N6030 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -120 -7 -16 -20 -5.0 200 150 -65~200 V A A A W ℃ ℃ Open emitter -120 -100 V CONDITIONS VALUE -100 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.875 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6029 2N6030 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6029 IC=-0.2A ;IB=0 2N6030 VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat VBE ICBO Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current 2N6029 ICEO Collector cut-off current 2N6030 VCE=-60V; IB=0 VCE=ratedVCB VCE=ratedVCB; TC=150℃ VEB=-7V; IC=0 2N6029 hFE-1 DC current gain 2N6030 hFE-2 COB fT DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=-16A ; VCE=-2V IE=0 ; VCB=-10V ;f=0.1MHz IC=-1A ; VCE=-20V 1.0 IC=-8A ; VCE=-2V 20 4 1000 pF MHz 80 25 -1.0 mA -5.0 -1.0 100 mA IC=-10A; IB=-1A IC=-16A ;IB=-4A IC=-10A; IB=-1A IC=-8A ; VCE=-2V VCB=ratedVCBO; IE=0 VCE=-50V; IB=0 -1.0 mA -120 -1.0 -2.0 -1.8 -1.5 -1.0 V V V V mA CONDITIONS MIN -100 V TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage ICEV Collector cut-off current (VBE(off)=1.5V) IEBO Emitter cut-off current 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6029 2N6030 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

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2N6030

1. 物料型号： - 型号为2N6029和2N6030，是硅PNP大功率晶体管。

2. 器件简介： - 2N6029和2N6030是带有TO-3封装的硅PNP大功率晶体管，是2N5629和2N5630的高功耗补充型号，适用于高电压和大功率放大应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2N6029为-100V，2N6030为-120V - 集电极-发射极电压（VCEO）：2N6029为-100V，2N6030为-120V - 发射极-基极电压（VEBO）：-7V - 集电极电流（Ic）：-16A - 集电极峰值电流（IcM）：-20A - 基极电流（1B）：-5.0A - 总功率耗散（PD）：200W（在25°C时） - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65°C至200°C

5. 功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：2N6029和2N6030在IC=-0.2A，IB=0条件下分别为-100V和-120V。 - 饱和电压（VCEsat）：在不同IC和IB条件下，VCEsat-1为-1.0V，VCEsat-2为-2.0V。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：在IC=-10A，IB=-1A条件下为-1.8V。 - 基极-发射极开启电压（VBE）：在IC=-8A，VCE=-2V条件下为-1.5V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VCB=额定VCBO，IE=0条件下为-1.0mA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-7V，IC=0条件下为-1.0mA。 - 直流电流增益（hFE）：在不同IC和VCE条件下，hFE-1为20至80，hFE-2为4至20。 - 输出电容（COB）：在IE=0，VCB=-10V，f=0.1MHz条件下为1000pF。 - 过渡频率（fT）：在IC=-1A，VCE=-20V条件下为1.0MHz。

6. 应用信息： - 适用于高电压和大功率放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。

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