2N6124

2N6124

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N6124 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N6124 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to PNP type : 2N6121 ;2N6122 ;2N6123 APPLICATIONS ・For use in power amplifier and switching circuit applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6124 2N6125 2N6126 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6124 VCBO Collector-base voltage 2N6125 2N6126 2N6124 VCEO Collector-emitter voltage 2N6125 2N6126 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -45 -60 -80 -45 -60 -80 -5 -4 -8 -1 40 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6124 2N6125 2N6126 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6124 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6125 2N6126 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE(on) Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6124 ICEX Collector cut-off current 2N6125 2N6126 2N6124 ICEO Collector cut-off current 2N6125 2N6126 IEBO Emitter cut-off current 2N6124 25 hFE-1 DC current gain 2N6125 2N6126 2N6124 10 hFE-2 DC current gain 2N6125 2N6126 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-4V IC=-4A ; VCE=-2V 7 2.5 MHz IC=-1.5A ; VCE=-2V 20 80 100 IC=-1.5A;IB=-0.15A IC=-4.0A;IB=-1.0A IC=-1.5A ; VCE=-2V VCE=-45V;VBE=1.5V TC=125℃ VCE=-60V;VBE=1.5V TC=125℃ VCE=-80V;VBE=1.5V TC=125℃ VCE=-45V;IB=0 VCE=-60V;IB=0 VCE=-80V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 -1.0 mA -1.0 mA IC=-0.1A ;IB=0 CONDITIONS MIN -45 -60 -80 -0.6 -1.4 -1.2 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 V V V V TYP. MAX UNIT mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6124 2N6125 2N6126 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6124
1. 物料型号: - 型号包括2N6124、2N6125和2N6126。

2. 器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,采用TO-220封装,是2N6121、2N6122和2N6123的PNP类型补充。

3. 引脚分配: - PIN 1: 发射极(Emitter) - PIN 2: 集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - PIN 3: 基极(Base)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25℃): - VCBO(集电极-基极电压):2N6124为-45V,2N6125为-60V,2N6126为-80V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2N6124为-45V,2N6125为-60V,2N6126为-80V。 - VEBO(发射极-基极电压):-5V。 - lc(集电极电流):-4A。 - IcM(集电极峰值电流):-8A。 - ls(基极电流):-1A。 - PT(总功率耗散):40W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65~150°C。

5. 功能详解: - 热特性: - Rthjc(结到外壳的热阻):3.125°C/W。 - 特性(Tj=25℃除非另有说明): - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):2N6124为-45V,2N6125为-60V,2N6126为-80V。 - VCEsat-1(集电极-发射极饱和电压):在Ic=-1.5A;Ib=-0.15A条件下,典型值为-0.6V。 - VCEsat-2(集电极-发射极饱和电压):在Ic=-4.0A;Ib=-1.0A条件下,典型值为-1.4V。 - VBE(on)(基极-发射极导通电压):典型值为-1.2V。 - ICEx(集电极截止电流):2N6124为-0.1~-2.0mA,2N6125为-0.1~-2.0mA,2N6126为-0.1~-2.0mA。 - ICEO(集电极截止电流):2N6124为-1.0mA,2N6125和2N6126也为-1.0mA。 - IEBO(发射极截止电流):-1.0mA。 - hFE-1(直流电流增益):2N6124为25~100,2N6125和2N6126为20~80。 - hFE-2(直流电流增益):2N6124为10,2N6125和2N6126为7。 - fr(过渡频率):2.5MHz。

6. 应用信息: - 用于功率放大器和开关电路应用。

7. 封装信息: - 封装为TO-220,具体尺寸见图2,未标明的公差为±0.10mm。
2N6124 价格&库存

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