2N6125

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6125 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to PNP type : 2N6121 ;2N6122 ;2N6123 APPLICATIONS ・For use in power amplifier and switching circuit applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6124 2N6125 2N6126 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6124 VCBO Collector-base voltage 2N6125 2N6126 2N6124 VCEO Collector-emitter voltage 2N6125 2N6126 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -45 -60 -80 -45 -60 -80 -5 -4 -8 -1 40 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6124 2N6125 2N6126 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6124 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6125 2N6126 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE(on) Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N6124 ICEX Collector cut-off current 2N6125 2N6126 2N6124 ICEO Collector cut-off current 2N6125 2N6126 IEBO Emitter cut-off current 2N6124 25 hFE-1 DC current gain 2N6125 2N6126 2N6124 10 hFE-2 DC current gain 2N6125 2N6126 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-4V IC=-4A ; VCE=-2V 7 2.5 MHz IC=-1.5A ; VCE=-2V 20 80 100 IC=-1.5A;IB=-0.15A IC=-4.0A;IB=-1.0A IC=-1.5A ; VCE=-2V VCE=-45V;VBE=1.5V TC=125℃ VCE=-60V;VBE=1.5V TC=125℃ VCE=-80V;VBE=1.5V TC=125℃ VCE=-45V;IB=0 VCE=-60V;IB=0 VCE=-80V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 -1.0 mA -1.0 mA IC=-0.1A ;IB=0 CONDITIONS MIN -45 -60 -80 -0.6 -1.4 -1.2 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 V V V V TYP. MAX UNIT mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6124 2N6125 2N6126 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6125

1. 物料型号： - 型号包括2N6124、2N6125、2N6126，这些是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-220封装，与PNP型号2N6121、2N6122、2N6123相补充。

3. 引脚分配： - 引脚1：发射极（Emitter） - 引脚2：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base） - 引脚3：基极（Base）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）：包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、集电极电流峰值（IcM）、基极电流（Ib）和总功率耗散（Ptot）。 - 热特性：包括结到壳的热阻（Rthjc）。

5. 功能详解： - 在Tj=25℃的条件下，详细描述了不同工作条件下的参数，如维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VCEsat）、基极-发射极导通电压（VBE(on)）、截止电流（ICEx、ICEO、IEBO）和直流电流增益（hFE）。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于功率放大和开关电路应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-220封装的外形尺寸图，未标注的公差为±0.10mm。

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