物料型号:
- 2N6226
- 2N6227
- 2N6228
器件简介:
硅PNP功率晶体管,具有TO-3封装,低集电极饱和电压和优秀的安全工作区。
引脚分配:
| PIN | 描述 |
| --- | --- |
| 1 | 基极(Base) |
| 2 | 发射极(Emitter) |
| 3 | 集电极(Collector) |
参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VcBO(集电极-基极电压):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V。
- VCEO(集电极-发射极电压):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V。
- VEBO(发射极-基极电压):-7V。
- lc(集电极电流):-6A。
- Po(总功耗):150W。
- T(结温):150°C。
- Tstg(存储温度):-65~200°C。
- 热特性:
- Rth j-c(结到外壳的热阻):0.92°C/W。
功能详解:
- VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V,条件为IC=-0.2A,IB=0。
- VCEsat(集电极-发射极饱和电压):2N6226为-1.2V,2N6227为-1.3V,2N6228为-1.4V,条件为IC=-4A,IB=-0.4A。
- VBE(基极-发射极导通电压):2N6226为-1.8V,2N6227为-1.9V,2N6228为-2.0V,条件为IC=-3A,VCE=-2V。
- ICEO(集电极截止电流):-5.0mA。
- ICBO(集电极截止电流):-1.0mA。
- IEBO(发射极截止电流):-0.1mA。
- hFE(直流电流增益):2N6226为25~100,2N6227为20~80,2N6228为15~60。
- fT(过渡频率):1MHz。
应用信息:
适用于高保真音频、步进电机等线性应用。