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2N6227

2N6227

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N6227 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6227 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6226 2N6227 2N6228 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low collector saturation voltage ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・For high power audio;stepping motor and other linear applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6226 VCBO Collector-base voltage 2N6227 2N6228 2N6226 VCEO Collector-emitter voltage 2N6227 2N6228 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -100 -120 -140 -100 -120 -140 -7 -6 150 150 -65~200 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.92 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6226 2N6227 2N6228 CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2N6226 Collector-emitter sustaining voltage -100 VCEO(SUS) 2N6227 IC=-0.2A ;IB=0 -120 V 2N6228 -140 VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-4A; IB=-0.4A -1.2 V VBE Base-emitter on voltage IC=-3A ; VCE=-2V -1.8 V ICEO Collector cut-off current VCE=Rated VCEO; IB=0 -5.0 mA ICBO Collector cut-off current VCB=Rated VCBO; IE=0 -1.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-7V; IC=0 2N6226 25 -0.1 mA 100 hFE DC current gain 2N6227 IC=-3A ; VCE=-2V 20 80 2N6228 15 60 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-4V 1 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6226 2N6227 2N6228 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2N6227
物料型号: - 2N6226 - 2N6227 - 2N6228

器件简介: 硅PNP功率晶体管,具有TO-3封装,低集电极饱和电压和优秀的安全工作区。

引脚分配: | PIN | 描述 | | --- | --- | | 1 | 基极(Base) | | 2 | 发射极(Emitter) | | 3 | 集电极(Collector) |

参数特性: - 绝对最大额定值: - VcBO(集电极-基极电压):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V。 - VEBO(发射极-基极电压):-7V。 - lc(集电极电流):-6A。 - Po(总功耗):150W。 - T(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65~200°C。

- 热特性: - Rth j-c(结到外壳的热阻):0.92°C/W。

功能详解: - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):2N6226为-100V,2N6227为-120V,2N6228为-140V,条件为IC=-0.2A,IB=0。 - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):2N6226为-1.2V,2N6227为-1.3V,2N6228为-1.4V,条件为IC=-4A,IB=-0.4A。 - VBE(基极-发射极导通电压):2N6226为-1.8V,2N6227为-1.9V,2N6228为-2.0V,条件为IC=-3A,VCE=-2V。 - ICEO(集电极截止电流):-5.0mA。 - ICBO(集电极截止电流):-1.0mA。 - IEBO(发射极截止电流):-0.1mA。 - hFE(直流电流增益):2N6226为25~100,2N6227为20~80,2N6228为15~60。 - fT(过渡频率):1MHz。

应用信息: 适用于高保真音频、步进电机等线性应用。
2N6227 价格&库存

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