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2N6254

2N6254

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N6254 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6254 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low collector saturation voltage ・Wide safe operating area ・High dissipation capability APPLICATIONS ・Series and shunt regulators ・High fidelity amplifiers ・Power switching circuits PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6254 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 100 80 7 15 7 115 200 -65~200 UNIT V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.17 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat-1 VCEsat-2 VBE ICEO ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain CONDITIONS IC=0.2A ;IB=0 IC=5A ;IB=0.5A IC=15A ;IB=3A IC=5A ; VCE=2V VCE=60V; IB=0 VCE=100V; VBE=-1.5V TC=150℃ VEB=7V; IC=0 IC=5A ; VCE=2V IC=15A ; VCE=4V 20 5 MIN 80 TYP. 2N6254 MAX UNIT V 0.5 4.0 1.5 1.0 0.5 5.0 0.5 70 V V V mA mA mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6254 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3
2N6254
1. 物料型号:2N6254,由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 该晶体管为硅NPN功率晶体管。 - 特点包括低集电极饱和电压、宽安全工作区和高散热能力。 - 应用领域包括串联和并联稳压器、高保真放大器和功率开关电路。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):100V - VCEO(集电极-发射极电压):80V - VEBO(发射极-基极电压):7V - lc(集电极电流):15A - ls(基极电流):7A - PD(总功率耗散):115W - T(结温):200°C - Tstg(存储温度):-65至200°C - 热特性: - Rthje(结到外壳的热阻):1.17°C/W

5. 功能详解: - 特性表中列出了在不同条件下的参数,例如VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压)、VCEsat(集电极-发射极饱和电压)、VBE(基极-发射极导通电压)、ICEO(集电极截止电流)等。

6. 应用信息: - 适用于串联和并联稳压器、高保真放大器和功率开关电路。

7. 封装信息: - 图2显示了TO-3封装的外形尺寸,未标明的公差为±0.10mm。
2N6254 价格&库存

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