1. 物料型号:2N6254,由Inchange Semiconductor生产。
2. 器件简介:
- 该晶体管为硅NPN功率晶体管。
- 特点包括低集电极饱和电压、宽安全工作区和高散热能力。
- 应用领域包括串联和并联稳压器、高保真放大器和功率开关电路。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)
- 2号引脚:发射极(Emitter)
- 3号引脚:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VCBO(集电极-基极电压):100V
- VCEO(集电极-发射极电压):80V
- VEBO(发射极-基极电压):7V
- lc(集电极电流):15A
- ls(基极电流):7A
- PD(总功率耗散):115W
- T(结温):200°C
- Tstg(存储温度):-65至200°C
- 热特性:
- Rthje(结到外壳的热阻):1.17°C/W
5. 功能详解:
- 特性表中列出了在不同条件下的参数,例如VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压)、VCEsat(集电极-发射极饱和电压)、VBE(基极-发射极导通电压)、ICEO(集电极截止电流)等。
6. 应用信息:
- 适用于串联和并联稳压器、高保真放大器和功率开关电路。
7. 封装信息:
- 图2显示了TO-3封装的外形尺寸,未标明的公差为±0.10mm。