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2N6262

2N6262

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N6262 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6262 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6262 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low collector saturation voltage ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 170 150 5 10 150 150 -65~200 UNIT V V V A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.17 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6262 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;IB=0 150 V VCEsat VBEsat Collector-emitter saturation voltge IC=5A ;IB=0.5A IC=10A ;IB=2A 2.0 V Base-emitter saturation voltage 3.5 V VBE Base-emitter on voltage IC=3A ; VCE=2V 1.8 V ICEO Collector cut-off current VCE=100V; IB=0 VCE=150V; VBE(off)=1.5V TC=150℃ VCB=150V; IE=0 1.0 0.1 5.0 0.1 mA ICEV Collector cut-off current mA ICBO Emitter cut-off current mA IEBO hFE Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 IC=3A ; VCE=2V 20 0.1 mA DC current gain 70 fT Transition frequency IC=1A;VCE=10V 0.8 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6262 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3
2N6262
1. 物料型号: - 型号:2N6262

2. 器件简介: - 2N6262是一款硅NPN功率晶体管,采用TO-3封装,具有低集电极饱和电压和优秀的安全工作区域。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):170V - 集电极-发射极电压(VCEO):150V - 发射极-基极电压(VEBO):5V - 集电极电流(IC):10A - 总功率耗散(PD):150W(在25°C时) - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-65至200°C

5. 功能详解: - 2N6262设计用于音频放大器和开关电路应用。 - 热阻(Rth j-c):1.17℃/W - 维持电压(VCEO(SUS)):150V - 饱和电压(VcEsat):2.0V(在5A集电极电流,0.5A基极电流时) - 基极-发射极饱和电压(VBEsat):3.5V(在10A集电极电流,2A基极电流时) - 基极-发射极开启电压(VBE):1.8V(在3A集电极电流,2V集电极-发射极电压时) - 集电极截止电流(ICEO):1.0mA(在100V集电极-发射极电压,0基极电流时) - 集电极截止电流(IcEV):0.15mA至5.0mA(在150V集电极-发射极电压,1.5V基极-发射极电压,150°C时) - 发射极截止电流(IcBO):0.1mA(在150V集电极-基极电压,0基极电流时) - 发射极截止电流(IEBO):0.1mA(在5V发射极-基极电压,0集电极电流时) - 直流电流增益(hFE):20至70(在3A集电极电流,2V集电极-发射极电压时) - 转换频率(fr):0.8MHz(在1A集电极电流,10V集电极-发射极电压时)

6. 应用信息: - 2N6262适用于音频放大器和开关电路。

7. 封装信息: - 封装类型:TO-3 - 封装图示和尺寸详见文档中的图2,未标明的公差为±0.10mm。
2N6262 价格&库存

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