2N6263

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6263 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-66 package ・High breakdown voltage ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・A wide variety of medium-to-high power, high-voltage applications ・Series and shunt regulators ・High-fidelity amplifiers ・Power switching circuits ・Solenoid drivers PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6263 2N6264 Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO PARAMETER 2N6263 Collector-base voltage 2N6264 2N6263 VCEO VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Collector-emitter voltage 2N6264 Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current 2N6263 Total power dissipation 2N6264 Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 150 7 3 4 2 20 W 50 150 -65~200 ℃ ℃ V A A A Open emitter 170 120 V CONDITIONS VALUE 140 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER 2N6263 Thermal resistance junction to case 2N6264 3.5 MAX 8.75 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6263 IC=0.1 A ; IB=0 2N6264 2N6263 2N6264 2N6263 VBE Base -emitter on voltage 2N6264 2N6263 ICEX Collector cut-off current 2N6264 2N6263 ICEO Collector cut-off current 2N6264 2N6263 IEBO Emitter cut-off current 2N6264 2N6263 hFE-1 DC current gain 2N6264 2N6263 hFE-2 DC current gain 2N6264 fT Transition frequency Second breakdown collector current with base forward biased 2N6263 2N6264 IC=0.2A ; VCE=4V IC=3A ; VCE=2V 5 200 0.167 IC=1A ; VCE=2V 20 3 VEB=7V; IC=0 IC=0.5 A ; VCE=4V 20 VCE=130V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1.0A ; VCE=2V VCE=120V; VBE(off)=-1.5V TC=150℃ VCE=150V; VBE(off)=-1.5V TC=150℃ VCE=100V;IB=0 IC=0.5A; IB=0.05A IC=1.0A; IB=0.1A IC=0.5A ; VCE=4V 140 CONDITIONS MIN 120 2N6263 2N6264 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage V VCEsat Collector-emitter saturation voltage 1.2 V 0.5 2.0 V 1.5 2 10 0.05 1.0 5 mA 1 2 mA 0.2 100 60 mA KHz Is/b VCE=120Vdc,t=1.0s, Nonrepetitive A 0.417 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6263 2N6264 Fig.2 Outline dimensions 3

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2N6263

1. 物料型号： - 型号为2N6263和2N6264，是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，具有TO-66封装，高击穿电压和低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：2N6263为140V，2N6264为170V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：2N6263为120V，2N6264为150V。 - VEBO（发射极-基极电压）：7V。 - Ic（集电极电流）：3A。 - IcM（集电极峰值电流）：4A。 - IB（基极电流）：2A。 - PT（总功率耗散）：2N6263为20W，2N6264为50W。 - Tj（结温）：150°C。 - Tstg（存储温度）：-65至200°C。 - 热特性： - Rth j-c（结到外壳的热阻）：2N6263为8.75°C/W，2N6264为3.5°C/W。

5. 功能详解： - 这些晶体管适用于中高功率、高电压的各种应用，包括串联和并联调节器、高保真放大器、功率开关电路、电磁线圈驱动器等。

6. 应用信息： - 适用于中高功率、高电压应用，如系列和并联调节器、高保真放大器、功率开关电路、电磁线圈驱动器等。

7. 封装信息： - 封装为TO-66，具体尺寸和符号见图2。

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