1. 物料型号:2N6308,硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介:
- 采用TO-3封装。
- 具有高击穿电压和高功率耗散能力。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)。
- 2号引脚:发射极(Emitter)。
- 3号引脚:集电极(Collector)。
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):700V。
- 集电极-发射极电压(VCEO):350V。
- 发射极-基极电压(VEBO):8V。
- 集电极电流(Ic):8A。
- 基极电流(IB):4A。
- 总功率耗散(PT):125W。
- 结温(Tj):200°C。
- 存储温度(Tstg):-65至200°C。
5. 功能详解:
- 该晶体管设计用于高电压逆变器、开关稳压器、线路操作放大器和开关电源应用。
- 提供了饱和电压、截止电流、放大倍数等详细电气特性。
6. 应用信息:
- 适用于高电压逆变器、开关稳压器、线路操作放大器和开关电源。
7. 封装信息:
- 提供了TO-3封装的外形尺寸图。