1. 物料型号：2N6308，硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 采用TO-3封装。
- 具有高击穿电压和高功率耗散能力。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）。
- 2号引脚：发射极（Emitter）。
- 3号引脚：集电极（Collector）。
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：700V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：350V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：8V。
- 集电极电流（Ic）：8A。
- 基极电流（IB）：4A。
- 总功率耗散（PT）：125W。
- 结温（Tj）：200°C。
- 存储温度（Tstg）：-65至200°C。
5. 功能详解：
- 该晶体管设计用于高电压逆变器、开关稳压器、线路操作放大器和开关电源应用。
- 提供了饱和电压、截止电流、放大倍数等详细电气特性。
6. 应用信息：
- 适用于高电压逆变器、开关稳压器、线路操作放大器和开关电源。
7. 封装信息：
- 提供了TO-3封装的外形尺寸图。
