2N6326

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6326 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low collector saturation voltage ・High DC current gain APPLICATIONS ・Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6326 2N6327 2N6328 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6326 VCBO Collector-base voltage 2N6327 2N6328 2N6326 VCEO Collector-emitter voltage 2N6327 2N6328 VEBO IC IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 80 100 60 80 100 5 30 7.5 200 200 -65~200 V A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.875 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6326 2N6327 2N6328 CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2N6326 Collector-emitter sustaining voltage 60 VCEO(SUS) 2N6327 IC=0.2 A ;IB=0 80 V 2N6328 100 VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=15A; IB=1.5A 1.2 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=15A; IB=1.5A 1.5 V VBE Base-emitter on voltage IC=8A ; VCE=4V VCB=60V; IE=0 TC=150℃ VCB=80V; IE=0 TC=150℃ VCB=100V; IE=0 TC=150℃ VEB=4V; IC=0 1.5 1.0 5.0 1.0 5.0 1.0 5.0 1.0 V 2N6326 ICBO Collector cut-off current 2N6327 mA 2N6328 IEBO Emitter cut-off current mA hFE-1 DC current gain IC=8A ; VCE=4V 25 hFE-2 DC current gain IC=30A ; VCE=4V 6 30 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=10V;f=1.0MHz 3 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6326 2N6327 2N6328 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2N6326

1. 物料型号： - 型号为2N6326、2N6327和2N6328，这些是Inchange Semiconductor生产的NPN型功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管具有TO-3封装，低集电极饱和电压和高直流电流增益。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VcBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、基极电流（IB）和总功率耗散（Po）。 - 热特性包括结到壳的热阻（Rthjc）。

5. 功能详解： - 这些晶体管设计用于音频放大器和开关电路应用。 - 提供了维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VCEsat和VBEsat）、基极-发射极开启电压（VBE）和截止电流（IcBO和IEBO）等参数。 - 还包括直流电流增益（hFE-1和hFE-2）和转换频率（fr）。

6. 应用信息： - 适用于音频放大器和开关电路。

7. 封装信息： - 提供了TO-3封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图（Fig.2）。

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