1. 物料型号:
- 型号为2N6326、2N6327和2N6328,这些是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介:
- 这些器件是硅NPN功率晶体管,具有TO-3封装,低集电极饱和电压和高直流电流增益。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(Base)
- 引脚2:发射极(Emitter)
- 引脚3:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VcBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、基极电流(IB)和总功率耗散(Po)。
- 热特性包括结到壳的热阻(Rthjc)。
5. 功能详解:
- 这些晶体管设计用于音频放大器和开关电路应用。
- 提供了维持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VCEsat和VBEsat)、基极-发射极开启电压(VBE)、集电极截止电流(IcBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)和转换频率(fr)等参数。
6. 应用信息:
- 设计用于音频放大器和开关电路应用。
7. 封装信息:
- 提供了TO-3封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图(Fig.2)。