1. 物料型号：
- 2N6356
2. 器件简介：
- 该器件是一个硅NPN功率晶体管，带有TO-3封装，具有高直流电流增益，适用于通用放大器和低频开关应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Emitter（发射极）
- PIN 3: Collector（集电极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：50V
- VCEO（集电极-发射极电压）：40V
- VEBO（发射极-基极电压）：5V
- Ic（集电极电流）：20A
- IB（基极电流）：0.5A
- PD（总功率耗散）：150W（Tc=25°C）
- Tj（结温）：200°C
- Tstg（存储温度）：-65~200°C
- 热特性：
- Rthj-c（结到外壳的热阻）：1.09°C/W
- 特性（Tj=25℃，除非另有说明）：
- V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：40V
- VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：2.0V（Ic=10A;IB=40mA）和4.0V（Ic=20A;IB=1A）
- VBE sat（基极-发射极饱和电压）：4.0V（Ic=20A;IB=1A）
- VBE（基极-发射极导通电压）：2.8V（Ic=10A;VcE=4V）
- ICEO（集电极截止电流）：1.0mA（VcE=40V;IB=0）
- ICBO（集电极截止电流）：0.5mA（VcB=50V;IE=0）
- IEBO（发射极截止电流）：5.0mA（VEB=5V）
- hFE（直流电流增益）：1500（Ic=4A;VcE=5V）到20000（Ic=4A;VcE=5V）和100（Ic=20A;VcE=5V）
5. 功能详解：
- 2N6356是一个达林顿配置的NPN硅功率晶体管，用于需要高增益和大电流容量的应用。它适用于通用放大和低频开关应用，具有较高的集电极-发射极击穿电压和集电极-基极电压，允许在较高电压下工作。
6. 应用信息：
- 适用于通用放大器和低频开关应用。
7. 封装信息：
- TO-3封装，具体尺寸见图2（未提供具体尺寸数值，只提到了未标明的公差为±0.10mm）。
