2N6374

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6374 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N6374 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-66 package ・Low collector saturation voltage ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・Designed for switching and wide-band amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6372 2N6373 2N6374 Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6372 VCBO Collector-base voltage 2N6373 2N6374 2N6372 VCEO Collector-emitter voltage 2N6373 2N6374 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 90 70 50 80 60 40 6 6 40 150 -65~200 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 4.37 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6372 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6373 2N6374 VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat-1 VBEsat-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2N6372 ICEO Collector cut-off current 2N6373 2N6374 ICBO IEBO Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N6372 hFE DC current gain 2N6373 2N6374 fT Transition frequency IC=2A; IB=0.2A IC=6A; IB=0.6A IC=2A; IB=0.2A IC=6A; IB=0.6A VCE=80V; IB=0 VCE=60V; IB=0 VCE=40V; IB=0 VCB=Rated VCB; IE=0 VEB=6V; IC=0 IC=2A ; VCE=2V IC=2.5A ; VCE=2V IC=3A ; VCE=2V IC=0.1A ;IB=0 2N6372 2N6373 2N6374 CONDITIONS MIN 80 60 40 TYP. MAX UNIT V 0.7 1.2 1.2 2.0 V V V V 0.1 mA 10 0.1 μA mA 20 100 IC=0.5A;VCE=10V;f=1MHz 4 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6372 2N6373 2N6374 Fig.2 outline dimensions 3

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2N6374

1. 物料型号： - 型号包括2N6372、2N6373和2N6374，这些是硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-66封装，具有低集电极饱和电压和出色的安全工作区。

3. 引脚分配： - 1号引脚为基极（Base） - 2号引脚为发射极（Emitter） - 3号引脚为集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、总功率耗散（PD）、结温（Tj）和存储温度（Tstg）。 - 热特性包括结到壳的热阻（Rthje）。

5. 功能详解： - 包括集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）、集电极-发射极饱和电压（VCEsat）、基极-发射极饱和电压（VBEsa）、集电极截止电流（ICEO）、集电极截止电流（ICBO）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE）和转换频率（fr）。

6. 应用信息： - 设计用于开关和宽带放大器应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-66封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。

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