2N6475

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6475 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6475 2N6476 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·General-purpose medium power for switching and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6475 VCBO Collector-base voltage 2N6476 2N6475 VCEO Collector-emitter voltage 2N6476 VEBO IC IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -120 -5 -4 -2 40 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter -130 -100 V CONDITIONS VALUE -110 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.125 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6475 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6476 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6475 ICEX Collector cut-off current 2N6476 2N6475 ICEO Collector cut-off current 2N6476 IEBO hFE-1 hFE-2 COB Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance 2N6475 fT Transition frequency 2N6476 IC=-0.5A ; VCE=-4V VCE=-60V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1.5A ; VCE=-4V IC=-4A ; VCE=-2.5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-1.5A;IB=-0.15A IC=-4A;IB=-2A IC=-1.5A ; VCE=-4V IC=-4A ; VCE=-2.5V VCE=-100V;VBE=-1.5V TC=100℃ VCE=-120V;VBE=-1.5V TC=100℃ VCE=-50V;IB=0 IC=-0.1A ;IB=0 CONDITIONS 2N6475 2N6476 MIN -100 TYP. MAX UNIT V -120 -1.2 -2.5 -2.0 -3.5 -0.1 -2.0 mA -0.1 -2.0 V V V V -1.0 mA -1.0 15 2 250 4 150 mA pF MHz 5 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6475 2N6476 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6475

1. 物料型号： - 型号为2N6475和2N6476，是Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，采用TO-220封装，具有低集电极饱和电压和优秀的安全工作区。

3. 引脚分配： - 1号引脚为发射极（Emitter）。 - 2号引脚为安装基座（mounting base），与集电极（Collector）相连。 - 3号引脚为基极（Base）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：集电极-基极电压（VCBO）为2N6475 -110V，2N6476 -130V；集电极-发射极电压（VCEO）为2N6475 -100V，2N6476 -120V；发射极-基极电压（VEBO）为-5V；集电极电流（IC）为-4A；基极电流（IB）为-2A；总功耗（PT）为40W；结温（Tj）为150℃；存储温度（Tstg）为-65~150℃。 - 热特性包括：从结到外壳的热阻（Rth j-c）为3.125℃/W。

5. 功能详解： - 包括维持电压（VCEO(SUS)）、集电极-发射极饱和电压（VcEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（IcEx）、集电极截止电流（ICEO）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE）、输出电容（CoB）和转换频率（fr）。

6. 应用信息： - 适用于一般用途的中功率开关和放大应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-220封装的外形尺寸图，未标明的公差为0.10mm。

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