2N6477

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6477 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Low collector saturation voltage ・High voltage ratings ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・Series and shunt regulators ・High-fidelity amplifiers ・Power switching circuits ・Solenoid drivers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N6477 2N6478 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6477 VCBO Collector-base voltage 2N6478 2N6477 VCEO Collector-emitter voltage 2N6478 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 140 5 2.5 4 1 50 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ Open emitter 160 120 V CONDITIONS VALUE 140 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 2.5 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6477 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6478 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6477 ICEX Collector cut-off current VBE=-1.5V 2N6478 2N6477 ICEO Collector cut-off current 2N6478 IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency VCE=100V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; VCE=4V IC=1.0A;IB=0.1A IC=2.5A;IB=0.5A IC=1.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V VCE=130V VCE=120V; TC=150℃ VCE=150V VCE=140V; TC=150℃ VCE=80V;IB=0 IC=0.1A ;IB=0 CONDITIONS 2N6477 2N6478 MIN 120 TYP. MAX UNIT V 140 1.0 2.0 1.8 3.0 2.0 10 mA 2.0 10 V V V V 2.0 mA 2.0 25 5 250 0.2 150 mA pF MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6477 2N6478 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6477

物料型号： - 型号：2N6477、2N6478

器件简介： - 描述：硅NPN功率晶体管，采用TO-220封装，具有低集电极饱和电压、高电压等级和出色的安全工作区。

引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C下）： - 2N6477和2N6478的集电极-基极电压（VCBO）分别为140V和160V。 - 2N6477和2N6478的集电极-发射极电压（VCEO）分别为120V和140V。 - 发射极-基极电压（VEBO）为5V。 - 集电极电流（Ic）为2.5A，集电极峰值电流（ICM）为4A，基极电流（IB）为1A。 - 总功率耗散（PT）为50W，结温（Tj）为150°C，存储温度（Tstg）范围为-65°C至150°C。

功能详解： - 热特性： - 结到壳的热阻（Rthj-c）最大为2.5°C/W。

应用信息： - 应用领域包括系列和并联调节器、高保真放大器、功率开关电路和螺线管驱动器。

封装信息： - 封装类型为TO-220C，文档中提供了简化外形图和符号。

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