2N6478

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6478 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N6478 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Low collector saturation voltage ・High voltage ratings ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・Series and shunt regulators ・High-fidelity amplifiers ・Power switching circuits ・Solenoid drivers PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N6477 2N6478 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6477 VCBO Collector-base voltage 2N6478 2N6477 VCEO Collector-emitter voltage 2N6478 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 140 5 2.5 4 1 50 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ Open emitter 160 120 V CONDITIONS VALUE 140 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 2.5 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6477 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6478 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6477 ICEX Collector cut-off current VBE=-1.5V 2N6478 2N6477 ICEO Collector cut-off current 2N6478 IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency VCE=100V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; VCE=4V IC=1.0A;IB=0.1A IC=2.5A;IB=0.5A IC=1.0A ; VCE=4V IC=2.5A ; VCE=4V VCE=130V VCE=120V; TC=150℃ VCE=150V VCE=140V; TC=150℃ VCE=80V;IB=0 IC=0.1A ;IB=0 CONDITIONS 2N6477 2N6478 MIN 120 TYP. MAX UNIT V 140 1.0 2.0 1.8 3.0 2.0 10 mA 2.0 10 V V V V 2.0 mA 2.0 25 5 250 0.2 150 mA pF MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6477 2N6478 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6478

1. 物料型号： - 型号为2N6477和2N6478，是NPN型功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-220封装，具有低集电极饱和电压、高电压等级和出色的安全工作区域。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、集电极峰值电流（ICM）、基极电流（IB）和总功率耗散（PT）等。 - 热特性包括结到壳的热阻（Rthj-c）。

5. 功能详解： - 包括集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）、集电极-发射极饱和电压（VCEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（ICEO）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE）等。

6. 应用信息： - 应用于串联和并联调节器、高保真放大器、功率开关电路和电磁线圈驱动器。

7. 封装信息： - 提供了TO-220C的简化外形图和符号，以及未标明公差的外形尺寸图。

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