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2N6489

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2N6489 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N6489 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Excellent safe operating area ・Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS ・Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6489 2N6490 2N6491 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6489 VCBO Collector-base voltage 2N6490 2N6491 2N6489 VCEO Collector-emitter voltage 2N6490 2N6491 VEBO IC IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -50 -70 -90 -40 -60 -80 -5 -15 -5 75 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.67 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6489 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6490 2N6491 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6489 ICEX Collector cut-off current VBE=-1.5V 2N6490 2N6491 2N6489 ICEO Collector cut-off current 2N6490 2N6491 IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain IC=-5A;IB=-0.5A IC=-15A;IB=-5A IC=-5A ; VCE=-4V IC=-15A ; VCE=-4V VCE=-45V; VCE=-40V;TC=150℃ VCE=-65V; VCE=-60V;TC=150℃ VCE=-85V; VCE=-80V;TC=150℃ VCE=-20V;IB=0 VCE=-30V;IB=0 VCE=-40V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-5A ; VCE=-4V IC=-15A ; VCE=-4V IC=-0.2A ;IB=0 2N6489 2N6490 2N6491 CONDITIONS MIN -40 -60 -80 TYP. MAX UNIT V -1.3 -3.5 -1.3 -3.5 -0.5 -5.0 -0.5 -5.0 -0.5 -5.0 V V V V mA -1.0 mA -1.0 20 5 150 mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6489 2N6490 2N6491 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2N6489

1. 物料型号： - 型号为2N6489、2N6490、2N6491，这些是Inchange Semiconductor生产的PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-220封装，具有出色的安全工作区域，分别是2N6486、2N6487、2N6488的补充型号。

3. 引脚分配： - PIN 1: 发射极（Emitter） - PIN 2: 集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - PIN 3: 基极（Base）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：2N6489为-50V，2N6490为-70V，2N6491为-90V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：2N6489为-40V，2N6490为-60V，2N6491为-80V。 - VEBO（发射极-基极电压）：-5V。 - Ic（集电极电流）：-15A。 - Ib（基极电流）：-5A。 - PT（总功率耗散）：75W。 - Tj（结温）：150°C。 - Tstg（存储温度）：-65~150°C。 - 热特性： - Rthj-c（从结到外壳的热阻）：1.67°C/W。

5. 功能详解： - 这些晶体管在Tj=25℃下的特性如下： - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N6489为-40V，2N6490为-60V，2N6491为-80V。 - VCEsat-1（集电极-发射极饱和电压，IC=-5A;IB=-0.5A）：-1.3V。 - VCEsat-2（集电极-发射极饱和电压，IC=-15A;IB=-5A）：-3.5V。 - VBE-1（基极-发射极导通电压，IC=-5A; VCE=-4V）：-1.3V。 - VBE-2（基极-发射极导通电压，IC=-15A; VCE=-4V）：-3.5V。 - ICEX（集电极截止电流，VBE=-1.5V）：-0.5~-5.0mA。 - ICEO（集电极截止电流，VCE=-20V;IB=0）：-1.0mA。 - IEBO（发射极截止电流，VEB=-5V; IC=0）：-1.0mA。 - hFE-1（直流电流增益，IC=-5A; VCE=-4V）：20~150。 - hFE-2（直流电流增益，IC=-15A; VCE=-4V）：5。

6. 应用信息： - 这些晶体管适用于功率放大和中速开关应用。

7. 封装信息： - 封装为TO-220，具体尺寸见图2，未标明的公差为0.10mm。

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