2N6490

2N6490

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N6490 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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2N6490 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Excellent safe operating area ・Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS ・Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N6489 2N6490 2N6491 Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6489 VCBO Collector-base voltage 2N6490 2N6491 2N6489 VCEO Collector-emitter voltage 2N6490 2N6491 VEBO IC IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -50 -70 -90 -40 -60 -80 -5 -15 -5 75 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.67 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6489 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6490 2N6491 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE-1 VBE-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N6489 ICEX Collector cut-off current VBE=-1.5V 2N6490 2N6491 2N6489 ICEO Collector cut-off current 2N6490 2N6491 IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain IC=-5A;IB=-0.5A IC=-15A;IB=-5A IC=-5A ; VCE=-4V IC=-15A ; VCE=-4V VCE=-45V; VCE=-40V;TC=150℃ VCE=-65V; VCE=-60V;TC=150℃ VCE=-85V; VCE=-80V;TC=150℃ VCE=-20V;IB=0 VCE=-30V;IB=0 VCE=-40V;IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-5A ; VCE=-4V IC=-15A ; VCE=-4V IC=-0.2A ;IB=0 2N6489 2N6490 2N6491 CONDITIONS MIN -40 -60 -80 TYP. MAX UNIT V -1.3 -3.5 -1.3 -3.5 -0.5 -5.0 -0.5 -5.0 -0.5 -5.0 V V V V mA -1.0 mA -1.0 20 5 150 mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6489 2N6490 2N6491 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2N6490
1. 物料型号: - 型号包括2N6489、2N6490和2N6491。

2. 器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,采用TO-220封装,具有出色的安全工作区域,分别是2N6486、2N6487和2N6488的补充型号。

3. 引脚分配: - PIN 1: 发射极(Emitter) - PIN 2: 集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - PIN 3: 基极(Base)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C下): - VCBO(集电极-基极电压):2N6489为-50V,2N6490为-70V,2N6491为-90V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2N6489为-40V,2N6490为-60V,2N6491为-80V。 - VEBO(发射极-基极电压):-5V。 - Ic(集电极电流):-15A。 - Ib(基极电流):-5A。 - PT(总功率耗散):75W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65°C至150°C。

5. 功能详解: - 热特性参数: - Rthj-c(从结到外壳的热阻):1.67°C/W。 - 特性参数(在25°C下,除非另有说明): - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):2N6489为-40V,2N6490为-60V,2N6491为-80V。 - VCEsat-1(集电极-发射极饱和电压,IC=-5A;IB=-0.5A):-1.3V。 - VCEsat-2(集电极-发射极饱和电压,IC=-15A;IB=-5A):-3.5V。 - VBE-1(基极-发射极导通电压,IC=-5A; VCE=-4V):-1.3V。 - VBE-2(基极-发射极导通电压,IC=-15A; VCE=-4V):-3.5V。 - ICEX(集电极截止电流,VBE=-1.5V):2N6489为-0.5mA,2N6490为-5.0mA,2N6491为-5.0mA。 - ICEO(集电极截止电流,VCE=-20V;IB=0):2N6489为-1.0mA,2N6490为-1.0mA,2N6491为-1.0mA。 - IEBO(发射极截止电流,VEB=-5V; IC=0):-1.0mA。 - hFE-1(直流电流增益,IC=-5A; VCE=-4V):20至150。 - hFE-2(直流电流增益,IC=-15A; VCE=-4V):5。

6. 应用信息: - 适用于功率放大和中速开关应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-220,具体尺寸见图2,未标明的公差为0.10mm。
2N6490 价格&库存

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