1. 物料型号:
- 型号为2N6576、2N6577和2N6578,这些是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介:
- 这些是带有TO-3封装的达林顿高直流电流增益的硅NPN功率晶体管。
3. 引脚分配:
- 引脚1:基极(Base)
- 引脚2:发射极(Emitter)
- 引脚3:集电极(Collector)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、集电极电流(Ic)、集电极电流峰值(IcM)、基极电流(IB)和总功率耗散(PD)等。
- 例如,2N6576的VCBO为60V,VCEO为60V,VEBO为7V,Ic为15A,IcM为30A,IB为0.25A,PD为120W。
5. 功能详解:
- 这些晶体管在25°C的结温下工作,除非另有说明。特性包括集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极饱和电压(VBE sat)、集电极截止电流(ICEO)、集电极截止电流(ICBO)和发射极截止电流(IEBO)等。
6. 应用信息:
- 应用包括功率开关、音频放大器、锤击驱动器、串联和并联调节器。
7. 封装信息:
- 提供了TO-3封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图,未标明的公差为±0.10mm。