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2N6678

2N6678

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2N6678 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
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2N6678 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High voltage capability ・Fast switching speeds ・Low saturation voltage APPLICATIONS Designed for high voltage switching applications such as : ・Off-line power supplies ・Converter circuits ・Pulse width modulated regulators PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter DESCRIPTION 2N6676 2N6677 2N6678 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6676 VCBO Collector-base voltage 2N6677 2N6678 2N6676 VCEO Collector-emitter voltage 2N6677 2N6678 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature Tc=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 450 550 650 300 350 400 8 15 20 5 175 200 -65~200 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6676 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6677 2N6678 VCEsat VBEsat ICEV IEBO hFE-1 hFE -2 COB fT Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=15A; IB=3A IC=15A; IB=3A IC=0.2A ; IB=0 2N6676 2N6677 2N6678 CONDITIONS MIN 300 350 400 TYP. MAX UNIT V 1.5 1.5 0.1 1.0 2.0 15 8 500 3 50 V V mA mA VCE=RatedVCEV;VBE(off)=-1.5V TC=100℃ VEB=8V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=15A ; VCE=3V IE=0 ;VCB=10V;f=0.1MHz IC=1A ; VCE=10V;f=5.0MHz pF MHz Switching times td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time IC=15A; IB1=-IB2=3.0A VCC=200V; tp=20μs; Duty Cycle≤2.0% VBB=6V,RL=1.35Ω 0.2 0.6 2.5 0.6 μs μs μs μs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.0 UNIT ℃/W 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6676 2N6677 2N6678 Fig.2 Outline dimensions 3
2N6678
1. 物料型号: - 型号为2N6676、2N6677和2N6678,这些是硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管具有TO-3封装,具备高电压能力、快速开关速度和低饱和电压。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:发射极(Emitter) - 引脚3:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括450V/550V/650V的集电极-基极电压(VCBO),300V/350V/400V的集电极-发射极电压(VCEO),8V的发射极-基极电压(VEBO),15A的集电极电流(Ic),20A的集电极峰值电流(ICM),5A的基极电流(IB),175W的总功率耗散(PT),200°C的结温(Tj),以及-65~200°C的存储温度(Tstg)。

5. 功能详解: - 特性表中列出了在不同条件下的最小值、典型值和最大值,包括维持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VcEsat、VBEsat)、截止电流(IcEV、IEBO)、直流电流增益(hFE-1、hFE-2)和输出电容(COB)等参数。

6. 应用信息: - 设计用于高电压开关应用,例如离线电源、转换器电路和脉宽调制调节器。

7. 封装信息: - 提供了TO-3封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。
2N6678 价格&库存

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