2SA1006A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1006A - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2336, 2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA1006 VCBO Collector-base voltage 2SA1006A 2SA1006B 2SA1006 VCEO Collector-emitter voltage 2SA1006A 2SA1006B VEBO IC ICM PT Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Ta=25℃ Total power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -180 -200 -250 -180 -200 -250 -5 -1.5 -3.0 1.5 W V A A V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B CONDITIONS IC=-0.5A; IB=-50mA IC=-0.5A ;IB=-50mA VCB=-150V ;IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-5mA ; VCE=-5V IC=-150mA ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V,f=1MHz IC=-100mA ; VCE=10V MIN TYP. MAX -1.0 -1.5 -1 -1 UNIT V V μA μA 30 60 45 80 320 pF MHz hFE-2 Classifications R 60-120 Q 100-200 P 160-320 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B 4 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B 5

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2SA1006A

物料型号： - 型号为2SA1006、2SA1006A、2SA1006B，是Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

器件简介： - 这些器件采用TO-220封装，是音频频率功率放大器和高频功率放大器的补充型号，与2SC2336、2SC2336A、2SC2336B相匹配。

引脚分配： - 引脚1：发射极（Emitter） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：基极（Base）

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO：集电极-基极电压，2SA1006为-180V，2SA1006A为-200V，2SA1006B为-250V。 - VCEO：集电极-发射极电压，与VCBO相同。 - VEBO：发射极-基极电压，为-5V。 - Ic：集电极电流，为-1.5A。 - IcM：集电极峰值电流，为-3.0A。 - PT：总功率耗散，Ta=25°C时为1.5W，Tc=25°C时为25W。 - Tj：结温，为150°C。 - Tstg：存储温度，为-55~150°C。

功能详解： - 特性（Tj=25℃除非另有说明）： - VCEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=-0.5A; IB=-50mA时，最大值为-1.0V。 - VBEsat：基极-发射极饱和电压，同上，最大值为-1.5V。 - IcBO：集电极截止电流，VcB=-150V;le=0时，最大值为-1A。 - IEBO：发射极截止电流，VEB=-3V;lc=0时，最大值为-1A。 - hFE-1：直流电流增益，Ic=-5mA; VCE=-5V时，最小值为30。 - hFE-2：直流电流增益，Ic=-150mA; VcE=-5V时，最小值为60，最大值为320。 - Cob：输出电容，le=0; VcB=-10V, f=1MHz时，值为45pF。 - fr：转换频率，Ic=-100mA; VcE=10V时，值为80MHz。

应用信息： - 适用于音频频率功率放大器和高频功率放大器。

封装信息： - 封装类型为TO-220，PDF中提供了简化外形图和符号，以及外形尺寸图（未标示公差：±0.10 mm）。

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