2SA1010

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1010 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载2SA1010.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SA1010 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1010 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage ·Fast Switching Speed ·Complement to Type 2SC2334 APPLICATIONS ·Developed for high-voltage high-speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switching reglators, DC/DC converters, and high frequency power amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage -7.0 V IC Collector Current-Continuous -7.0 A ICM Collector Current-Peak -15 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ -3.5 A 1.5 W PC Total Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Junction Temperature 40 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEX(SUS)-1 VCEX(SUS)-2 VCE(sat) VBE(sat) ICBO ICER ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 PARAMETER Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain CONDITIONS IC= -5.0A ; IB= -0.5A, L=1mH IC= -5.0A ; IB1=-IB2= -0.5A, VBE(OFF)=5.0V, L=180μH,clamped IC= -10A ; IB1= -1.0A; IB2= -0.5A, VBE(OFF)= 5.0V, L= 180μH,clamped IC= -5.0A; IB= -0.5A B 2SA1010 MIN -100 -100 -100 MAX UNIT V V V -0.6 -1.5 -10 -1.0 -10 -1.0 -10 40 40 20 200 200 V V μA mA μA mA μA IC= -5.0A; IB= -0.5A B VCB= -100V ; IE=0 VCE= -100V ; RBE= 51Ω,Ta=125℃ VCE= -100V; VBE(off)= -1.5V VCE= -100V; VBE(off)= -1.5V,Ta=125℃ VEB= -5V; IC=0 IC= -0.5A ; VCE= -5V IC= -3.0A ; VCE= -5V IC= -5.0A ; VCE= -5V Switching times ton tstg tf Turn-on Time Storage Time Fall Time IC= -5.0A ,RL= 10Ω, IB1= -IB2= -0.5A,VCC≈-50V 0.5 1.5 0.5 μs μs μs hFE-2 Classifications M 40-80 L 60-120 K 100-200 isc Website：www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1010 isc Website：www.iscsemi.cn 3

下载 PDF

2SA1010

物料型号： - 型号为2SA1010。

器件简介： - 2SA1010是一款硅PNP功率晶体管，具有低集电极饱和电压、快速开关速度，是2SC2334的互补型号。

引脚分配： - 引脚1：基极(B) - 引脚2：集电极(C) - 引脚3：发射极(E) - 封装为TO-220C。

参数特性： - 集电极-基极电压(VCBO)：-100V - 集电极-发射极电压(VCEO)：-100V - 发射极-基极电压(VEBO)：-7.0V - 集电极电流连续(Ic)：-7.0A - 集电极电流峰值(IcM)：-15A - 基极电流连续(IB)：-3.5A - 集电极功耗@Ta=25°C(Pc)：1.5W - 总功耗@Tc=25°C：40W - 结温(TJ)：150°C - 存储温度范围(Tstg)：-55~150°C

功能详解： - 2SA1010适用于高电压高速开关，非常适合作为开关调节器、DC/DC转换器和高频功率放大器等设备的驱动器使用。

应用信息： - 开发用于高电压高速开关，适用于开关调节器、DC/DC转换器、高频功率放大器等设备的驱动器。

封装信息： - 封装为TO-220C，具体尺寸参数如下： - A: 15.70mm~15.90mm - B: 9.90mm~10.10mm - C: 4.20mm~4.40mm - D: 0.70mm~0.90mm - F: 3.40mm~3.60mm - G: 4.98mm~5.18mm - H: 2.70mm~2.90mm - J: 0.44mm~0.46mm - K: 13.20mm~13.40mm - L: 1.10mm~1.30mm - Q: 2.70mm~2.90mm - R: 2.50mm~2.70mm - S: 1.29mm~1.31mm - U: 6.45mm~6.65mm - V: 8.66mm~8.86mm

2SA1010 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SA1010”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SA1010

相关技术文章