2SA1065

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1065 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1065 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High transition frequency ·Complement to type 2SC2489 APPLICATIONS ·For audio frequency amplifier and high power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -150 -150 -5 -10 -15 120 150 -65~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1065 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-0.1A ;IB=0 -150 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-10A ;IB=-1A -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-10A;VCE=-5V -2.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-70V; IE=0 -1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -2 mA hFE-1 DC current gain IC=-2A ; VCE=-5V 40 280 hFE-2 DC current gain IC=-10A ; VCE=-5V 20 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V 50 MHz hFE-1 Classifications R 40-80 Q 60-120 P 90-180 O 140-280 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1065 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1065

1. 物料型号：2SA1065，这是一个硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-3封装。 - 低集电极饱和电压。 - 高转换频率。 - 是2SC2489型号的互补类型。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：发射极（Emitter）。 - 3号引脚：集电极（Collector）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-150V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-150V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-10A。 - 集电极峰值电流（ICM）：-15A。 - 集电极功率耗散（Pc）：在25°C时为120W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65至150°C。

5. 功能详解： - 除非另有说明，结温（Tj）为25°C。 - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：在Ic=-0.1A，Ib=0条件下为-150V。 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：在Ic=-10A，Ib=-1A条件下小于2.0V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：在Ic=-10A，VcE=-5V条件下小于2.5V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=-70V，Ie=0条件下小于1mA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-5V，Ic=0条件下小于2mA。 - 直流电流增益（hFE）有两个工作点：Ic=-2A，VCE=-5V时为40至280；Ic=-10A，VCE=-5V时为20至280。 - 转换频率（fr）：在Ic=-0.5A，VcE=-5V条件下为50MHz。

6. 应用信息： - 适用于音频频率放大器和高功率放大器应用。

7. 封装信息： - 图2显示了TO-3封装的外形尺寸（未标明的公差：±0.1mm）。

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