2SA1075

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1075 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1075 2SA1076 DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SC2525,2SC2526 ·Fast switching speed ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·High frequency power amplifiers ·Audio power amplifiers ·Switching regulators ·DC-DC converters PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA1075 VCBO Collector-base voltage 2SA1076 2SA1075 VCEO Collector-emitter voltage 2SA1076 VEBO IC PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -160 -7 -12 120 150 -65~150 V V A W ℃ ℃ Open emitter -160 -120 V V CONDITIONS VALUE -120 UNIT V Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA1075 IC=-1mA ;RBE=∞ 2SA1076 2SA1075 IC=-50μA; IE=0 2SA1076 IE=-50μA; IC=0 IC=-5A;IB=-0.5A IC=-5A;VCE=-5V 2SA1075 ICBO Collector cut-off current 2SA1076 2SA1075 ICEO Collector cut-off current 2SA1076 IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency VCE=-160V; IB=0 VEB=-7V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-7A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V IC=-1A ; VCE=-10V VCB=-160V; IE=0 VCE=-120V; IB=0 VCB=-120V; IE=0 CONDITIONS 2SA1075 2SA1076 MIN -120 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage V -160 -120 V -160 -7 -1.8 -1.7 V V V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage V(BR)EBO VCEsat VBE Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage -50 μA -1 mA -50 60 40 300 60 200 μA pF MHz Switching times tr ts tf Rise time Storage time Fall time IC=-7.5A;RL=4Ω IB1=-IB2=-0.75A 0.15 0.50 0.11 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1075 2SA1076 Fig.2 outline dimensions 3

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2SA1075

1. 物料型号： - 型号为2SA1075和2SA1076，是Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介： - 这些是PNP型硅功率晶体管，采用MT-200封装，是2SC2525和2SC2526型号的补充，具有快速开关速度和出色的安全工作区。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）： - 2SA1075和2SA1076的集电极-基极电压（Vcbo）分别为-120V和-160V。 - 2SA1075和2SA1076的集电极-发射极电压（Vceo）分别为-120V和-160V。 - 发射极-基极电压（Vebo）为-7V。 - 集电极电流（Ic）为-12A。 - 集电极功耗（Pc）在25°C时为120W。 - 结温（Tj）为150°C。 - 存储温度（Tstg）范围为-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 包括击穿电压、饱和电压、基极-发射极电压、截止电流、直流电流增益、输出电容和转换频率等参数的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息： - 适用于高频功率放大器、音频功率放大器、开关稳压器和DC-DC转换器。

7. 封装信息： - 提供了MT-200封装的外形图和尺寸图，具体细节见图2。

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