2SA1094

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1094 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1094 DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SC2564 APPLICATIONS ·For power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -140 -140 -5 -12 -1.2 120 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-0.1A ; IB=0 B 2SA1094 MIN -140 -5 TYP. MAX UNIT V V IE=-0.01A ; IC=0 IC=-5A ;IB=-0.5A B -2.0 -2.0 -50 -50 55 30 220 70 240 V V μA μA IC=-5A ; VCE=-5V VCB=-140V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-5V IC=-5A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-1A ; VCE=-10V pF MHz hFE-1 classifications R 55-110 O 80-160 Y 120-240 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1094 Fig.2 outline dimensions 3

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2SA1094

1. 物料型号：2SA1094，由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介： - 该器件是一个PNP型功率晶体管，与2SC2564型号互补。 - 适用于功率放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：安装底（mounting base），连接到集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：开路发射极时为-140V - 集电极-发射极电压（VCEO）：开路基极时为-140V - 发射极-基极电压（VEBO）：开路集电极时为-5V - 集电极电流（IC）：-12A - 基极电流（IB）：-1.2A - 集电极功耗（PC）：在25℃时为120W - 结温（Tj）：最高150℃ - 存储温度（Tstg）：-55℃至150℃

5. 功能详解： - 该晶体管具有特定的击穿电压、饱和电压、开启电压等参数，具体数值如下： - V(BR)CEO：-140V - V(BR)EBO：-5V - VcEsat：-2.0V - VBE：-2.0V - 截止电流ICBO和IEBO均为-50uA。 - 直流电流增益hFE-1在-1A集电极电流时为55至240，hFE-2在-5A集电极电流时为30。 - 输出电容Cab为220pF，过渡频率fr为70MHz。

6. 应用信息： - 适用于功率放大器应用。

7. 封装信息： - 封装类型为MT-200，具体尺寸和外形见图2。

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