2SA1109

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1109 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1109 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·For audio frequency amplifier and high power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -180 -180 -5 -10 -14 200 150 -65~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1109 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ;IB=0 -180 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A B -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-5A;VCE=-5V -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-180V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=-2A ; VCE=-5V 50 160 hFE-2 DC current gain IC=-5A ; VCE=-5V 30 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V 60 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1109 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1109

物料型号： - 2SA1109

器件简介： - 2SA1109是由Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装。 - 特点包括低集电极饱和电压和高转换频率。 - 适用于音频频率放大器和高功率放大器应用。

引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter W） - 3号引脚：集电极（Collector）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-180V，开路发射极 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-180V，开路基极 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：-10A - 集电极峰值电流（ICM）：-14A - 集电极功率耗散（Pc）：200W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65~150°C

功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BRCEO)）：-180V，Ic=-25mA；Ib=0 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-2.0V，Ic=-5A;Ib=-0.5A - 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.5V，Ic=-5A;VcE=-5V - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，VcB=-180V;Ie=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，VEB=-5V;Ic=0 - 直流电流增益（hFE-1）：50至160，Ic=-2A;VcE=-5V - 直流电流增益（hFE-2）：30至160，Ic=-5A;VcE=-5V - 转换频率（fr）：60MHz，Ic=-0.5A;VcE=-5V

应用信息： - 适用于音频频率放大器和高功率放大器应用。

封装信息： - TO-3封装，具体尺寸见文档中的Fig.2。

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