2SA1117

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1117 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1117 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations APPLICATIONS ·For power switching amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -200 -200 -6 -17 -5 200 150 -65~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1117 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ;IB=0 -200 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ;IC=0 -6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A -2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-200V; IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -0.1 mA hFE DC current gain IC=-8A ; VCE=-4V 20 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-12V 20 MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1117 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1117

1. 物料型号：2SA1117，由Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介：该器件采用TO-3封装，适用于高功率耗散，主要用于功率开关放大器和通用应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-200V，开路发射极 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-200V，开路基极 - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V，开路 - 集电极电流（Ic）：-17A - 基极电流（Ib）：-5A - 集电极功率耗散（Pc）：200W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65~150°C

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-200V，Ic=-50mA;Ib=0 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-6V，Ic=-1mA;Ic=0 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-2.0V，Ic=-5A;Ib=-0.5A - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，Vs=200V;Ib=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，VEB=-6V;Ic=0 - 直流电流增益（hFE）：20，Ic=-8A;VcE=-4V - 过渡频率（fr）：20MHz，Ic=-0.5A;VcE=-12V

6. 应用信息：适用于功率开关放大器和通用应用。

7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸图见文档中的Fig.2。

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