1. 物料型号：2SA1135，由Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 该器件为通用目的应用设计。
- 采用TO-3PN封装。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：Base（基极）
- 2号引脚：Collector;connected to mounting base（集电极；连接到安装底座）
- 3号引脚：Emitter（发射极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO：Collector-base voltage（集电极-基极电压）-80V
- VCEO：Collector-emitter voltage（集电极-发射极电压）-80V
- VEBO：Emitter-base voltage（发射极-基极电压）-6V
- lc：Collector current（集电极电流）-4A
- 1B：Base current（基极电流）-1A
- Pc：Collector power dissipation（集电极功率耗散）55W（Tc=25°C）
- Tj：Junction temperature（结温）150°C
- Tstg：Storage temperature（储存温度）-55~150°C
5. 功能详解：
- 特性参数（Tj=25℃ unless otherwise specified）：
- V(BRCEO)：Collector-emitter breakdown voltage（集电极-发射极击穿电压）-80V
- VcEsat：Collector-emitter saturation voltage（集电极-发射极饱和电压）-1.0V（Ic=-2A;lB=-0.2A）
- ICBO：Collector cut-off current（集电极截止电流）-1.0mA（VcB=-80V;Ie=0）
- IEBO：Emitter cut-off current（发射极截止电流）-1.0mA（VEB=-6V;Ic=0）
- hFE：DC current gain（直流电流增益）40（Ic=-1A;Vce=-4V）
- fT：Transition frequency（过渡频率）10MHz（le=0.2A;VcE=-10V）
6. 应用信息：
- 适用于一般用途的应用。
7. 封装信息：
- TO-3PN封装，具体尺寸见图2（未标注的公差：±0.1mm）。
工商网监
湘ICP备2023018690号
