2SA1187

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1187 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1187 DESCRIPTION ·With MT-200 package ·High current capability APPLICATIONS ·Audio and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -150 -150 -5 -12 -2 120 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat ICBO IEBO hFE Cob fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-25mA ;IB=0 IC=-5A; IB=-0.5A VCB=-150V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-3A ; VCE=-4V IE=0 ; VCB=-80V;f=1MHz IE=1A ; VCE=-12V 50 110 60 MIN -150 TYP. 2SA1187 MAX UNIT V -2.0 -0.1 -0.1 V mA mA pF MHz hFE Classifications O 50-100 P 70-140 Y 90-180 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1187 Fig.2 outline dimensions 3

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2SA1187

1. 物料型号： - 型号：2SA1187

2. 器件简介： - 该器件是一个PNP型功率晶体管，具有MT-200封装，适用于音频和通用应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集-基极电压（VCBO）：-150V，开发射极 - 集-发射极电压（VCEO）：-150V，开基极 - 发-基极电压（VEBO）：-5V，开集电极 - 集电极电流（Ic）：-12A - 基极电流（Ib）：-2A - 集电极功耗（Pc）：120W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 击穿电压（V(BR)CEO）：IC=-25mA, IB=0时，最小值-150V - 饱和电压（VCEsat）：IC=-5A, IB=-0.5A时，最小值-2.0V - 集电极截止电流（ICBO）：VCB=-150V, IE=0时，最大值-0.1mA - 发射极截止电流（IEBO）：VEB=-5V, IC=0时，最大值-0.1mA - 直流电流增益（hFE）：IC=-3A, VCE=-4V时，最小值50 - 输出电容（Cob）：IE=0, VCB=-80V, f=1MHz时，110pF - 过渡频率（fT）：IE=1A, VCE=-12V时，60MHz

6. 应用信息： - 音频和通用应用

7. 封装信息： - 封装类型：MT-200

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