2SA1303

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1303 - Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistor 2SA1303 DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -150V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC3284 APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -150 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -14 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature -3 A PC 125 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ INCHANGE Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1303 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -25mA ; IB= 0 -150 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -0.5A B -2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -150V ; IE= 0 -100 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -100 μA hFE DC Current Gain IC= -5A ; VCE= -4V 50 180 COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= -10V;f= 1.0MHz 400 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= 2A ; VCE= -12V 50 MHz Switching Times ton Turn-on Time IC= -5A ,RL= 12Ω, IB1= -IB2= -0.5A,VCC= -60V 0.25 μs tstg Storage Time 0.85 μs tf Fall Time 0.2 μs hFE Classifications O 50-100 P 70-140 Y 90-180 2

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2SA1303

1. 物料型号：2SA1303，由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistor。

2. 器件简介： - 高Collector-Emitter击穿电压：$V_{(BR)CEO}=-150V$（最小值）。 - 良好的hFE线性。 - 与2SC3284型号互补。 - 适用于音频和通用应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - $V_{CBO}$（Collector-Base Voltage）：-150V - $V_{CEO}$（Collector-Emitter Voltage）：-150V - $V_{EBO}$（Emitter-Base Voltage）：-5V - $I_C$（Collector Current-Continuous）：-14A - $I_B$（Base Current-Continuous）：-3A - $P_C$（Collector Power Dissipation @ TC=25℃）：125W - $T_J$（Junction Temperature）：150℃ - $T_{stg}$（Storage Temperature Range）：-55~150℃

5. 功能详解： - 电气特性在25℃下，除非另有说明。 - 包括击穿电压、饱和电压、截止电流、直流电流增益等参数。

6. 应用信息： - 设计用于音频和通用应用。

7. 封装信息： - TO-3PN封装。

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