2SA1306

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1306 - isc Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2SA1306/A/B DESCRIPTION ·Good Linearity of hFE ·High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B ·Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS ·Power amplifier applications. ·Driver stage amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA1306 VCBO Collector-Base Voltage 2SA1306A 2SA1306B 2SA1306 VCEO Collector-Emitter Voltage 2SA1306A 2SA1306B VEBO IC IB B VALUE -160 -180 -200 -160 -180 -200 -5 -1.5 -0.15 20 150 -55~150 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1306/A/B TYP. MAX UNIT 2SA1306 Collector-Emitter Breakdown Voltage -160 V(BR)CEO 2SA1306A IC= -10mA; IB= 0 -180 V 2SA1306B -200 VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -500mA; IB= -50mA -1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -500mA; VCE= -5V -1.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -160V; IE= 0 -1.0 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC=0 -1.0 μA hFE DC Current Gain IC= -100mA ; VCE= -5V 70 240 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -100mA ; VCE= -10V 100 MHz COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= -10V;ftest= 1.0MHz 30 pF hFE Classifications O 70-140 Y 120-240 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SA1306

1. 物料型号：2SA1306/A/B

2. 器件简介： - 优秀的$h_{FE}$线性 - 高的集电极-发射极击穿电压：2SA1306为-160V，2SA1306A为-180V，2SA1306B为-200V - 2SC3298/A/B的互补型号 - 适用于功率放大应用和驱动级放大应用 - 封装：TO-220Fa

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2SA1306为-160V，2SA1306A为-180V，2SA1306B为-200V - 集电极-发射极电压（VCEO）：2SA1306为-160V，2SA1306A为-180V，2SA1306B为-200V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极连续电流（Ic）：-1.5A - 基极连续电流（IB）：-0.15A - 集电极功率耗散@Tc=25°C（Pc）：20W - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 电气特性表中提供了详细的工作条件和对应的最小值、典型值、最大值，包括击穿电压、饱和电压、开启电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、电流增益-带宽积和输出电容等参数。

6. 封装信息： - 提供了详细的封装尺寸，包括最小值和最大值，单位为毫米。

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