2SA1332

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1332 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1332 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCEO APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base · Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -160 -160 -5 -1.5 -0.15 20 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=10mA , IB=0 B 2SA1332 MIN -160 -5 TYP. MAX UNIT V V IE=1mA , IC=0 IC=-0.5A, IB=-50mA IC=-0.1A ; VCE=-10V VCB=-160V, IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-10V IC=-0.1A ; VCE=-10V -1.5 -1.0 -1.0 -1.0 60 200 240 V V μA μA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1332 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

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2SA1332

1. 物料型号：2SA1332，来自Inchange Semiconductor的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介：这款晶体管采用TO-220Fa封装，具有高VCEO（Collector-Emitter Voltage），适用于功率放大器应用和驱动级放大器应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: Emitter（发射极） - PIN 2: Collector（集电极） - PIN 3: Base（基极）

4. 参数特性： - VCBO（Collector-base voltage）：-160V - VCEO（Collector-emitter voltage）：-160V - VEBO（Emitter-base voltage）：-5V - lc（Collector current）：-1.5A - IB（Base current）：-0.15A - Pc（Collector power dissipation）：20W（在Tc=25°C时） - Tj（Junction temperature）：150°C - Tstg（Storage temperature）：-55~150°C

5. 功能详解： - V(BR)CEO（Collector-emitter breakdown voltage）：在Ic=10mA,IB=0条件下，-160V - V(BR)EBO（Emitter-base breakdown voltage）：在Ic=1mA,Ic=0条件下，-5V - VcEsat（Collector-emitter saturation voltage）：在Ic=-0.5A,IB=-50mA条件下，-1.5V - VBE（Base-emitter voltage）：在Ic=-0.1A;VcE=-10V条件下，-1.0V - IcBO（Collector cut-off current）：在VcB=-160V,IE=0条件下，-1.0A - IEBO（Emitter cut-off current）：在VEB=-5V;Ic=0条件下，-1.0A - hFE（DC current gain）：在Ic=-0.1A;VcE=-10V条件下，范围60到240 - fT（Transition frequency）：在Ic=-0.1A;VcE=-10V条件下，200MHz

6. 应用信息：适用于功率放大器和驱动级放大器应用。

7. 封装信息：TO-220Fa封装，具体尺寸如图2所示，未标注的公差为±0.15mm。

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