2SA1357

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1357 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1357 DESCRIPTION ·High Collector Current-IC= -5.0A ·DC Current Gain: hFE= 70(Min)@IC= -4A ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.0V(Max)@IC= -4A APPLICATIONS ·Strobe flash applications. ·Audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Pulse Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ VALUE -35 -20 -8 -5 -8 -1 10 UNIT V V V A A A PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ TJ Tstg Junction Temperature Storage Temperature Range 1.5 150 -55~150 W ℃ ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1357 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA ; IB= 0 -20 V VCE(sat) VBE(on) ICBO IEBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.1A B -1.0 V Base-Emitter On Voltage IC=-4A ; VCE= -2V -1.5 V μA μA Collector Cutoff Current VCB= -35V; IE= 0 VEB= -8V; IC= 0 -0.1 Emitter Cutoff Current -0.1 hFE-1 DC Current Gain IC= -0.5A ; VCE= -2V 100 320 hFE-2 DC Current Gain IC= -4A ; VCE= -2V 70 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A ; VCE= -2V 170 MHz COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= -10V,ftest= 1MHz 62 pF hFE-1 Classifications O 100-200 Y 160-320 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SA1357

1. 物料型号：2SA1357，这是ISC品牌的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 高集电极电流：IC = -5.0A - 直流电流增益：hFE = 70（最小值）@ IC = -4A - 低饱和电压：VCE(sat) = -1.0V（最大值）@ IC = -4A

3. 引脚分配： - PIN 1: EMITTER（发射极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: BASE（基极） - 封装类型：TO-126

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VcBO：Collector-Base Voltage（集电极-基极电压）-35V - VCEO：Collector-Emitter Voltage（集电极-发射极电压）-20V - VEBO：Emitter-Base Voltage（发射极-基极电压）-8V - Ic：Collector Current-Continuous（集电极连续电流）-5A - IcP：Collector Current-Pulse（集电极脉冲电流）-8A - lB：Base Current-Continuous（基极连续电流）-1A - Pc：Collector Power Dissipation @Tc=25°C（25°C时集电极功耗）10W - TJ：Junction Temperature（结温）150℃ - Tstg：Storage Temperature Range（存储温度范围）-55~150℃

5. 功能详解： - 应用领域包括闪光灯应用和音频功率放大器应用。 - 电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）： - VBRCEO：Collector-Emitter Breakdown Voltage（集电极-发射极击穿电压）-20V - VCE(sat)：Collector-Emitter Saturation Voltage（集电极-发射极饱和电压）-1.0V - VBE(on)：Base-Emitter On Voltage（基极-发射极导通电压）-1.5V - IcBO：Collector Cutoff Current（集电极截止电流）-0.1A - IEBO：Emitter Cutoff Current（发射极截止电流）-0.1uA - hFE-1：DC Current Gain（直流电流增益）100至320 - hFE-2：DC Current Gain（直流电流增益）70 - fr：Current-Gain-Bandwidth Product（电流增益-带宽积）170MHz - CoB：Output Capacitance（输出电容）62pF

6. 应用信息： - 适用于闪光灯和音频功率放大器应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-126，具体尺寸参数如下： - A: 10.70mm至10.90mm - B: 7.70mm至7.90mm - C: 2.60mm至2.80mm - D: 0.66mm至0.86mm - F: 3.10mm至3.30mm - G: 4.48mm至4.68mm - H: 2.00mm至2.20mm - J: 1.35mm至1.55mm - K: 16.10mm至16.30mm - Q: 3.70mm至3.90mm - R: 0.40mm至0.60mm - V: 1.17mm至1.37mm

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