2SA1358

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1358 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358 DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -120V(Min) ·Complement to Type 2SC3421 APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier applications. ·Suitable for driver of 60 to 80 Watts audio amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC IB B Collector Current-Continuous -1 A Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ -0.1 A 10 W PC Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ TJ Junction Temperature 1.5 150 ℃ ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1358 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA ; IB= 0 -120 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -1mA ; IC= 0 -5 V VCE(sat) VBE(on) ICBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -500mA; IB= -50mA -1.0 V Base-Emitter On Voltage IC= -500mA ; VCE= -5V VCB= -120V; IE= 0 -1.0 V μA μA Collector Cutoff Current -0.1 IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -0.1 hFE DC Current Gain IC= -0.1A ; VCE= -5V 80 240 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.1A ; VCE= -5V 120 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V, ftest= 1MHz 30 pF hFE Classifications O 80-160 Y 120-240 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SA1358

1. 物料型号：2SA1358

2. 器件简介： - 该晶体管具有高集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO= -120V(Min)）。 - 是2SC3421的互补型号。 - 设计用于音频频率功率放大应用，适合驱动60至80瓦的音频放大器。

3. 引脚分配： - PIN 1: 发射极（EMITTER） - PIN 2: 集电极（COLLECTOR） - PIN 3: 基极（BASE） - 封装类型为TO-126。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C下）： - VcBO（集电极-基极电压）：-120V - VCEO（集电极-发射极电压）：-120V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - Ic（集电极连续电流）：-1A - IB（基极连续电流）：-0.1A - Pc（集电极功率耗散，Tc=25°C）：10W - TJ（结温）：150℃ - Tstg（存储温度范围）：-55~150℃

5. 功能详解： - 电气特性（在25°C下，除非另有说明）： - VBRCEO（集电极-发射极击穿电压）：Ic=-10mA; IB=0，最小值-120V - V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：Ic=-1mA; IB=0，最小值-5V - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：Ic=-500mA; IB=-50mA，最大值-1.0V - VBE(on)（基极-发射极导通电压）：Ic=-500mA; VcE=-5V，最大值-1.0V - ICBO（集电极截止电流）：VcB=-120V; IB=0，最大值-0.1μA - IEBO（发射极截止电流）：VEB=-5V; Ic=0，最大值-0.1A - hFE（直流电流增益）：Ic=-0.1A; VcE=-5V，范围80至240 - fr（电流增益-带宽积）：Ic=-0.1A; VcE=-5V，范围120MHz - CoB（输出电容）：Ic=0; VcB=-10V, ftest=1MHz，范围30pF

6. 应用信息： - 用于音频频率功率放大应用，适合驱动60至80瓦的音频放大器。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-126，具体尺寸参数如下： - A: 10.70-10.90mm - B: 7.70-7.90mm - C: 2.60-2.80mm - D: 0.66-0.86mm - F: 3.10-3.30mm - G: 4.48-4.68mm - H: 2.00-2.20mm - J: 1.35-1.55mm - K: 16.10-16.30mm - Q: 3.70-3.90mm - R: 0.40-0.60mm - V: 1.17-1.37mm

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