2SA1490

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1490 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1490 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SC3854 APPLICATIONS ·Audio and general purpose PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -120 -120 -6 -8 -3 80 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1490 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ;IB=0 -120 V VCEsat ICBO Collector-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.3A VCB=-120V; IE=0 -1.5 V μA μA Collector cut-off current -100 IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -100 hFE DC current gain IC=-3A ; VCE=-4V 50 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=-12V 20 MHz Switching times μs μs μs ton ts Turn-on time IC=-4A;RL=10Ω IB1=-IB2=-0.4A VCC=40V 0.25 Storage time 0.7 tf Fall time 0.2 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1490 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA1490

物料型号： - 型号：2SA1490 - 制造商：Inchange Semiconductor

器件简介： - 封装类型：TO-3PN - 与2SC3854型号互补 - 应用领域：音频和通用

引脚分配： | 引脚编号 | 描述 | |---------|------------| | 1 | 基极（Base）| | 2 | 集电极；连接到安装底（Collector;connected to mounting base）| | 3 | 发射极（Emitter）|

参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-120V（开路发射极） - 集-发射电压（VCEO）：-120V（开路基极） - 发-基电压（VEBO）：-6V - 集电极电流（Ic）：-8A - 基极电流（Ib）：-3A - 集电极功率耗散（Pc）：80W（Tc=25°C） - 结温（Tj）：150°C - 储存温度（Tstg）：-55到150°C

功能详解： - 集-发射击穿电压（V(BR)CEO）：-120V（Ic=-50mA; Ib=0） - 集-发射饱和电压（VcEsat）：-1.5V（Ic=-3A; Ib=-0.3A） - 集电极截止电流（IccBO）：-100uA（VcB=-120V; Ie=0） - 发射极截止电流（IEBO）：-100uA（VEB=-6V; Ic=0） - DC电流增益（hFE）：50（Ic=-3A; VcE=-4V） - 过渡频率（fr）：20MHz（Ic=0.5A; VcE=-12V） - 通断时间参数： - 导通时间（ton）：0.25s（Ic=-4A; RL=10Ω; Ib=-0.4A; Vcc=40V） - 存储时间（ts）：0.7s - 关断时间（t）：0.2s

应用信息： - 音频和通用领域

封装信息： - 图2展示了封装的外形尺寸，未注明的公差为±0.1mm。

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