2SA1658

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1658 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1658 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SC4369 ·Good linearity of hFE APPLICATIONS ·For general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -30 -30 -5 -3 -0.3 15 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1658 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA ; IB=0 B -30 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A ;IB=-0.2A B -0.3 -0.8 V VBE Base-emitter on voltage IC=-0.5A ; VCE=-2V -0.75 -1.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-20V; IE=0 -1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1.0 μA hFE-1 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-2V 70 240 hFE-2 DC current gain IC=-2.5A ; VCE=-2V 25 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz 40 pF fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-2V 100 MHz hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1658 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SA1658

物料型号： - 型号：2SA1658

器件简介： - 2SA1658是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220F封装，与2SC4369型号相匹配，具有较好的$h_{FE}$线性。

引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector（集电极） - PIN 3: Emitter（发射极）

参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO：Collector-base voltage（集电-基电压）-30V - VCEO：Collector-emitter voltage（集电-发电压）-30V - VEBO：Emitter-base voltage（发-基电压）-5V - lc：Collector current（集电极电流）-3A - ls：Base current（基极电流）-0.3A - Pc：Collector dissipation（集电极耗散功率）15W - TJ：Junction temperature（结温）150°C - Tstg：Storage temperature（储存温度）-55~150°C

功能详解： - 特性表中列出了在Tj=25℃时的参数，包括： - V(BR)CEO：Collector-emitter breakdown voltage（集电-发击穿电压）-30V - VcEsat：Collector-emitter saturation voltage（集电-发饱和电压）-0.3V至-0.8V - VBE：Base-emitter on voltage（基-发射开启电压）-0.75V至-1.0V - ICBO：Collector cut-off current（集电极截止电流）-1.0A - IEBO：Emitter cut-off current（发射极截止电流）-1.0uA - hFE-1：DC current gain（直流电流增益）70至240 - hFE-2：DC current gain（直流电流增益）25（在Ic=-2.5A;VcE=-2V条件下） - CoB：Output capacitance（输出电容）40pF - fr：Transition frequency（转换频率）100MHz

应用信息： - 适用于通用目的的应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220F

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