2SA1693

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1693 - Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistor 2SA1693 DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC4466 APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current-Continuous -6 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature -3 A PC 60 W TJ 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ INCHANGE Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1693 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA ; IB= 0 -80 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -0.2A B -1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -80V ; IE= 0 -10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -6V; IC= 0 -10 μA hFE DC Current Gain IC= -2A ; VCE= -4V 50 180 COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= -10V;f= 1.0MHz 150 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= 0.5A ; VCE= -12V 20 MHz Switching Times ton Turn-on Time IC= -3A ,RL= 10Ω, IB1= -IB2= -0.3A,VCC= -30V 0.18 μs tstg Storage Time 1.1 μs tf Fall Time 0.21 μs hFE Classifications O 50-100 P 70-140 Y 90-180 2

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2SA1693

1. 物料型号：2SA1693，是INCHANGE Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistor。

2. 器件简介： - 高Collector-Emitter击穿电压：$V_{(BR)CEO}=-80V$（最小值）。 - 具有良好线性的$h_{FE}$。 - 与2SC4466型号互补。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（$T_{a}=25^{\circ}C$）： - VCBO：Collector-Base Voltage（集电极-基极电压）-80V - VCEO：Collector-Emitter Voltage（集电极-发射极电压）-80V - VEBO：Emitter-Base Voltage（发射极-基极电压）-6V - Ic：Collector Current-Continuous（集电极连续电流）-6A - IB：Base Current-Continuous（基极连续电流）-3A - Pc：Collector Power Dissipation @Tc=25°C（25°C时集电极功率耗散）60W - TJ：Junction Temperature（结温）150°C - Tstg：Storage Temperature Range（存储温度范围）-55~150°C

5. 功能详解： - 电气特性（TC=25℃除非另有说明）： - V(BR)CEO：Collector-Emitter Breakdown Voltage（集电极-发射极击穿电压）IC=-50mA；IB=0时-80V - VCE(sat)：Collector-Emitter Saturation Voltage（集电极-发射极饱和电压）IC=-2A；IB=-0.2A时-1.5V - ICBO：Collector Cutoff Current（集电极截止电流）VCB=-80V；IE=0时-10μA - IEBO：Emitter Cutoff Current（发射极截止电流）VEB=-6V；IC=0时-10μA - hFE：DC Current Gain（直流电流增益）IC=-2A；VCE=-4V时50至180 - COB：Output Capacitance（输出电容）IE=0；VCB=-10V；f=1.0MHz时150pF - fT：Current-Gain-Bandwidth Product（电流增益-带宽积）IE=0.5A；VCE=-12V时20MHz

6. 应用信息： - 设计用于音频和通用应用。

7. 封装信息：TO-3PN封装。

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