1. 物料型号：
- 型号为2SA1694，是INCHANGE Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistor。
2. 器件简介：
- 该器件具有高Collector-Emitter击穿电压（V_{(BR)CEO}=-120V最小值），良好的h_{FE}线性，是2SC4467的互补型号。适用于音频和通用应用。
3. 引脚分配：
- 引脚1：BASE（基极）
- 引脚2：COLLECTOR（集电极）
- 引脚3：EMITTER（发射极）
- 封装为TO-3PN。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值包括：VCBO（集电极-基极电压）-120V，VCEO（集电极-发射极电压）-120V，VEBO（发射极-基极电压）-6V，Ic（集电极连续电流）-8A，IB（基极连续电流）-3A，Pc（集电极功率耗散@Tc=25°C）80W，TJ（结温）150°C，Tstg（存储温度范围）-55~150°C。
5. 功能详解：
- 电气特性包括：V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）-120V，VCE(sat)（集电极-发射极饱和电压）-1.5V，IcBO（集电极截止电流）-10uA，IEBO（发射极截止电流）-10uA，hFE（直流电流增益）50-180，COB（hFE输出电容）300pF，fr（电流增益-带宽积）20MHz，以及开关时间ton（开通时间）0.14s，tstg（存储时间）1.4s，tf（下降时间）0.21us。
6. 应用信息：
- 设计用于音频和通用应用。
7. 封装信息：
- 提供了TO-3PN封装的详细尺寸，包括最小和最大尺寸。
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