2SA1869

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1869 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1869 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SC4935 APPLICATIONS ·Power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -50 -50 -5 -3 -0.3 10 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-10mA ; IB=0 B 2SA1869 MIN -50 TYP. MAX UNIT V IC=-2A ;IB=-0.2A B -0.3 -0.8 -0.6 -1.0 -1.0 -1.0 V V μA μA IC=-0.5A ; VCE=-2V VCB=-50V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-2V IC=-2.5A ; VCE=-2V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-2V 70 30 240 35 100 pF MHz hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1869 Fig.2 Outline dimensions 3 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1869 4

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2SA1869

物料型号： - 型号：2SA1869

器件简介： - 2SA1869是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220F封装，是2SC4935的补充型号，适用于功率放大应用。

引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

参数特性： - 集电-基极电压（VCBO）：-50V - 集电-发射极电压（VCEO）：-50V - 发射-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-3A - 基极电流（Ib）：-0.3A - 集电极耗散功率（Pc）：10W（Tc=25°C） - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

功能详解： - 该晶体管在Tj=25℃的条件下，具有以下特性： - 集电-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-50V - 集电-发射极饱和电压（VCEsat）：-0.3~-0.6V（Ic=-2A; Ib=-0.2A） - 基极-发射极电压（VBE）：-0.8~-1.0V（Ic=-0.5A; VcE=-2V） - 集电极截止电流（IcBO）：-1.0A（VcB=-50V; Ie=0） - 发射极截止电流（IEBO）：-1.0A（VEB=-5V; Ic=0） - 直流电流增益（hFE）：70~240（Ic=-0.5A; VcE=-2V）和30（Ic=-2.5A; VcE=-2V） - 输出电容（COB）：35pF（Ic=0; VcB=-10V; f=1MHz） - 转换频率（fr）：100MHz（Ic=-0.5A; VcE=-2V）

应用信息： - 2SA1869适用于功率放大应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220F

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