2SA1879

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA1879 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1879 DESCRIPTION ·With ITO-220 package ·Switching power transistor ·Low collector saturation voltage PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Base current-Peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -80 -80 -7 -7 -14 -1.5 -2 25 150 -55~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PT Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction case MAX 5.0 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1879 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICBO Collector cut-off current ICEO IEBO hFE fT Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency At rated volatge IC=-3.5A ; VCE=-2V IC=-0.7A ; VCE=-10V 70 50 MHz -0.1 mA At rated volatge -0.1 mA PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage CONDITIONS IC=-0.1A ;IB=0 IC=-3.5A; IB=-0.35A IC=-3.5A; IB=-0.35A MIN -80 -0.3 -1.2 TYP. MAX UNIT V V V Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-3.5A;IB1=-IB2=-0.35A , RL=8Ω;VBB2=-4V 0.3 1.5 0.2 μs μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1879 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.20 mm) 3

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2SA1879

1. 物料型号：2SA1879，是一款由Inchange Semiconductor生产的PNP功率晶体管。

2. 器件简介：该器件采用ITO-220封装，适用于开关电源晶体管，具有低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极（Collector） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-80V，开发射极 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V，开基极 - 发射极-基极电压（VEBO）：-7V，开集电极 - 集电极电流（Ic）：-7A - 集电极峰值电流（IcM）：-14A - 基极电流（IB）：-1.5A - 基极峰值电流（IBM）：-2A - 总功率耗散（Pr）：25W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 维持电压（VCEO(SUS)）：-80V，IC=-0.1A；IB=0 - 饱和电压（VCEsat）：-0.3V，IC=-3.5A; IB=-0.35A - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-1.2V，IC=-3.5A; IB=-0.35A - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1 mA，额定电压下 - 发射极截止电流（ICEO）/基极发射极截止电流（IEBO）：-0.1 mA，额定电压下 - 直流电流增益（hFE）：70，IC=-3.5A ; VCE=-2V - 过渡频率（fT）：50 MHz，IC=-0.7A ; VCE=-10V

6. 应用信息：适用于开关电源晶体管。

7. 封装信息：ITO-220封装，具体尺寸图见文档中的Fig.2，未标注的公差为0.20mm。

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