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2SA634

2SA634

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    2SA634 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA634 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA634 DESCRIPTION ·With TO-202 package ·Complement to type 2SC1096 ·High current capability APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·Low speed switching PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Ta=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -40 -30 -5 -3.0 -6.0 -0.6 1.2 UNIT V V V A A A PT Total power dissipation TC=25℃ 10 150 -55~150 W Tj Tstg Junction temperature Storage temperature ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA634 MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-3.0A ;IB=-0.3 A -2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-3.0A ;IB=-0.3 A -2.0 V V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA; IB=0 -30 V hFE-1 DC current gain IC=-20mA ; VCE=-5V 20 hFE-2 DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 40 250 ICBO Collector cut-off current VCB=-30V; IE=0 -1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-3V; IC=0 -1.0 μA COB Output capacitance IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 75 pF fT Transition frequency IC=-0.1A ; VCE=-5V 55 MHz hFE-2 Classifications N 40-60 M 50-100 L 80-160 K 120-250 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA634 Fig.2 outline dimensions 3
2SA634
物料型号: - 型号:2SA634

器件简介: - 2SA634是一款硅PNP功率晶体管,具有TO-202封装,是2SC1096型号的补充,具有高电流能力。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):-40V,开路发射极 - 集-射电压(VCEO):-30V,开路基极 - 发-基电压(VEBO):-5V,开路 - 集电极电流(Ic):-3.0A - 集电极峰值电流(ICM):-6.0A - 基极电流(IB):-0.6A - 总功率耗散(PT):1.2W(Ta=25°C),10W(Tc=25°C) - 结温(TJ):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 饱和压降:VcEsat(集-射饱和电压)在Ic=-3.0A,IB=-0.3A时小于2.0V;VBEsat(基-射饱和电压)在相同条件下小于2.0V。 - 击穿电压:V(BRCEO)(集-射击穿电压)在Ic=10mA,IB=0时为-30V。 - 直流电流增益:hFE-1在Ic=-20mA,VcE=-5V时为20;hFE-2在Ic=-1A,VcE=-5V时为40至250。 - 截止电流:ICBO(集电极截止电流)在VcB=-30V,I=0时小于1.0μA;IEBO(发射极截止电流)在VEB=-3V,Ic=0时小于1.0μA。 - 输出电容:CoB在Ic=0,VcB=-10V,f=1MHz时为75pF。 - 转换频率:fT在Ic=-0.1A,VcE=-5V时为55MHz。

应用信息: - 音频频率功率放大器 - 低速开关

封装信息: - 封装类型:TO-202
2SA634 价格&库存

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