2SA740

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA740 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA740 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -150V(Min) ·DC Current Gain : hFE= 40-140@ IC= -0.5A ·Complement to Type 2SC1448 APPLICATIONS ·Power amplifier applications. ·Vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Emitter Current-Continuous Total Power Dissipation @ Ta=25℃ Total Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Tstg Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -150 -150 -5 -1.5 1.5 1.5 W 25 150 -55~150 ℃ ℃ UNIT V V V A A PC isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA740 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -5mA ; IB= 0 -150 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -1mA ; IE= 0 -150 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -1mA ; IC= 0 -5 V VCE(sat) VBE(on) ICBO Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -0.5A; IB= -50mA B -1.5 V Base-Emitter On Voltage IC= -0.5A ; VCE= -10V -1.0 V μA μA Collector Cutoff Current VCB= -100V ; IE= 0 -20 IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -10 hFE DC Current Gain IC= -0.5A ; VCE= -10V 40 140 COB Output Capacitance IE= -0; VCB= -10V; ftest= 1MHz IC= -0.5A;VCE= -10V 90 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product 8 MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SA740

物料型号： - 型号：2SA740

器件简介： - 2SA740是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管，具有-150V的集电极-发射极击穿电压和40-140的直流电流增益（hFE），适用于0.5A电流下的直流电流增益。

引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER） - 封装类型：TO-220C

参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：-150V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-150V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-1.5A（连续） - 发射极电流（IE）：1.5A（连续） - 功率耗散（Pc）：1.5W（25°C时） - 总功率耗散（Pc）：25W（25°C时） - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55°C至150°C

功能详解和应用信息： - 2SA740适用于功率放大应用和垂直输出应用。

封装信息： - 封装尺寸参数如下（单位：mm）： - A：15.70至15.90 - B：9.90至10.10 - C：4.20至4.40 - D：0.70至0.90 - F：3.40至3.60 - G：4.98至5.18 - H：2.70至2.90 - J：0.44至0.46 - K：13.20至13.40 - L：1.10至1.30 - Q：2.70至2.90 - R：2.50至2.70 - S：1.29至1.31 - U：6.45至6.65 - V：8.66至8.86

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