2SA743

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA743 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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2SA743 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA743 DESCRIPTION ·Good Linearity of hFE ·High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -50V (Min) ·Complement to Type 2SC1212 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ -1 A 0.75 W PC Total Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Junction Temperature 8 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA743 MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -1mA; IE= 0 -50 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA; RBE= ∞ -50 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -1mA; IC= 0 -4 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1A; IB= -0.1A B -1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -50mA ; VCE= -4V -1.0 V ICER Collector Cutoff Current VCE= -50V; RBE= 1kΩ -20 μA hFE-1 DC Current Gain IC= -50mA ; VCE= -4V 60 200 hFE-2 DC Current Gain IC= -1A ; VCE= -4V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -30mA ; VCE= -4V 120 MHz hFE-1 Classifications B 60-120 C 100-200 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SA743

1. 物料型号：2SA743，这是INCHANGE Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 具有很好的hFE线性。 - 高的集电极-发射极击穿电压，最小值为-50V。 - 是2SC1212型号的互补类型。

3. 引脚分配： - PIN 1: 发射极（Emitter） - PIN 2: 集电极（Collector） - PIN 3: 基极（Base） - 封装类型为TO-126。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VCBO（集电极-基极电压）：-50V - VCEO（集电极-发射极电压）：-50V - VEBO（发射极-基极电压）：-4V - Ic（集电极连续电流）：-1A - Pc（25°C时集电极功率耗散）：0.75W - ha（25°C时总功率耗散）：8W - TJ（结温）：150℃ - Tstg（存储温度范围）：-55~150℃

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于低频功率放大应用。

6. 应用信息： - 适用于低频功率放大器应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-126，具体尺寸参数如下： - A: 10.70mm - 10.90mm - B: 7.70mm - 7.90mm - C: 2.60mm - 2.80mm - D: 0.66mm - 0.86mm - F: 3.10mm - 3.30mm - G: 4.48mm - 4.68mm - H: 2.00mm - 2.20mm - K: 16.10mm - 16.30mm - O: 3.70mm - 3.90mm - R: 0.40mm - 0.60mm - V: 1.17mm - 1.37mm

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