2SA908

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SA908 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载2SA908.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SA908 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA907/908/909 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SC1584/1585/1586 APPLICATIONS ·For power switching and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2SA907 VCBO Collector-base voltage 2SA908 2SA909 2SA907 VCEO Collector-emitter voltage 2SA908 2SA909 VEBO IC IB B CONDITIONS VALUE -100 UNIT Open emitter -150 -200 -100 V Open base -150 -200 V Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Open collector -6 -15 -5 V A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg TC=25℃ 150 150 -65~150 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA907 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SA908 2SA909 VCEsat Collector-emitter saturation voltage 2SA907 ICBO Collector cut-off current 2SA908 2SA909 IEBO hFE fT Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency IC=-10A; IB=-1A VCB=-100V; IE=0 VCB=-150V; IE=0 VCB=-200V; IE=0 VEB=-6V; IC=0 IC=-5A ; VCE=-4V IC=-0.5A ; VCE=-12V IC=-50mA ;IB=0 CONDITIONS 2SA907/908/909 MIN -100 -150 -200 TYP. MAX UNIT V -3.0 V -1.0 mA -1.0 30 10 mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA907/908/909 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

下载 PDF

2SA908

1. 物料型号：2SA907/908/909，由Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介：这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装，是2SC1584/1585/1586和2SA907/908/909的补充。

3. 引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Emitter（发射极） - PIN 3: Collector（集电极）

4. 参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：2SA907为-100V，2SA908为-150V，2SA909为-200V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：2SA907为-100V，2SA908为-150V，2SA909为-200V。 - VEBO（发射极-基极电压）：-6V。 - Ic（集电极电流）：-15A。 - Ib（基极电流）：-5A。 - Pc（集电极功率耗散）：150W（在Tc=25°C时）。 - Tj（结温）：150°C。 - Tstg（存储温度）：-65~150°C。

5. 功能详解： - 用于功率开关和一般用途的应用。 - 在Tj=25℃下，除非另有说明，以下是其特性： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：2SA907为-100V，2SA908为-150V，2SA909为-200V。 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：-3.0V（在Ic=-10A，Ib=-1A时）。 - ICBO（集电极截止电流）：2SA908为-1.0mA（在VcB=-150V，Ie=0时），2SA909为-1.0mA（在VcB=-200V，Ie=0时）。 - IEBO（发射极截止电流）：-1.0mA（在VEB=-6V，Ic=0时）。 - hFE（直流电流增益）：30（在Ic=-5A，VcE=-4V时）。 - fr（过渡频率）：10MHz（在Ic=-0.5A，VcE=-12V时）。

6. 应用信息： - 用于功率开关和一般用途。

7. 封装信息： - 提供了TO-3封装的外形图和尺寸，图中未标示的公差为±0.1mm。

2SA908 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SA908”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SA908

相关技术文章