2SB1018A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1018A - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1018A DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -0.5V(Max)@IC= -4A ·High Current Capability- IC= -7A ·Complement to Type 2SD1411A APPLICATIONS ·High current switching applications. ·Power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -7 A IB B Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ -1 A 2 W PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Junction Temperature 30 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SB1018A TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA; IB= 0 -80 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A B -0.5 V VBE(sat) ICBO Base-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A B -1.4 V μA μA Collector Cutoff Current VCB= -100V; IE= 0 -5 IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -5 hFE-1 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -1V 70 240 hFE-2 DC Current Gain IC= -4A; VCE= -1V 30 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= -10V; f= 1MHz 250 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -1A; VCE= -4V 10 MHz Switching Times μs μs μs ton Turn-on Time IC= -3.0A ,IB1= -IB2= -0.3A, VCC= -30V; RL= 10Ω 0.4 tstg Storage Time 2.5 tf Fall Time 0.5 hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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2SB1018A

物料型号： - 型号：2SB1018A

器件简介： - 该器件是一个硅PNP功率晶体管，具有低集电极饱和电压（VCE(sat)=-0.5V最大值@IC=-4A）、高电流能力（IC=-7A）以及与2SD1411A互补。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220F

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-100V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极连续电流（Ic）：-7A - 基极连续电流（IB）：-1A - 集电极功耗耗散在Ta=25°C时（Pc）：2W - 集电极功耗耗散在Tc=25°C时：30W - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C

功能详解： - 该晶体管适用于高电流开关应用和功率放大应用。

应用信息： - 适用于高电流开关应用和功率放大应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220F - 封装尺寸参数（单位：mm）： - A: 14.95~15.05 - B: 10.00~10.10 - C: 4.40~4.60 - D: 0.75~0.80 - F: 3.10~3.30 - H: 3.70~3.90 - J: 0.50~0.70 - K: 13.4~13.6 - L: 1.10~1.30 - N: 5.00~5.20 - Q: 2.70~2.90 - R: 2.20~2.40 - S: 2.65~2.85 - U: 6.40~6.60

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