2SB1157

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1157 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1157 DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・Complement to type 2SD1712 ・High fT ・Wide area of safe operation APPLICATIONS ・For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -100 -100 -5 -5 -8 60 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 COB fT PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-3A ;IB=-0.3A IC=-3A ; VCE=-5V VCB=-100V; IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-20mA ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IC=-3A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-5V 20 60 20 130 20 MIN TYP. 2SB1157 MAX -2.0 -1.8 -50 -50 UNIT V V μA μA 200 pF MHz hFE-2 classifications Q 60-120 S 80-160 P 100-200 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1157 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3

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2SB1157

物料型号： - 型号：2SB1157

器件简介： - 2SB1157是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-3PFa封装，是2SD1712型号的补充，具有高fT（频率）和广泛的安全操作区域。

引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - 集-基电压（VCBO）：-100V - 集-射电压（VCEO）：-100V - 发-基电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-5A - 集电极峰值电流（IcP）：-8A - 集电极功耗（Pc）：60W（Tc=25°C时为3W） - 结温（Tj）：150°C - 储存温度（Tstg）：-55~150°C

功能详解： - 特性（Tj=25°C，除非另有说明）： - 集-射饱和电压（VcEsat）：当Ic=-3A；Ib=-0.3A时，最大值-2.0V - 发-基导通电压（VBE）：当Ic=-3A;VcE=-5V时，最大值-1.8V - 集电极截止电流（IcBO）：当VcB=-100V;Ie=0时，最大值-50μA - 发射极截止电流（IEBO）：当VEB=-3V;Ic=0时，最大值-50μA - 直流电流增益（hFE）：有多个工作点的值，例如在Ic=-20mA;VCE=-5V时，最小值20；在Ic=-1A;VcE=-5V时，典型值60，最大值200；在Ic=-3A;VcE=-5V时，最小值20 - 输出电容（CoB）：在Ic=0;VcB=-10V;f=1MHz时，典型值130pF - 过渡频率（fr）：在Ic=-0.5A;VcE=-5V时，典型值20MHz

应用信息： - 适用于高功率放大器应用。

封装信息： - 封装类型为TO-3PFa，图片中提供了封装的外形尺寸图，未标注的公差为0.30mm。

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