2SB1159

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1159 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1159 DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・Complement to type 2SD1714 ・High fT ・Wide area of safe operation APPLICATIONS ・For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -140 -140 -5 -7 -12 80 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 COB fT PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-5A ;IB=-0.5A IC=-5A ; VCE=-5V VCB=-140V; IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-20mA ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IC=-5A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-5V 20 60 20 220 20 MIN TYP. 2SB1159 MAX -2.0 -1.8 -50 -50 UNIT V V μA μA 200 pF MHz hFE-2 classifications Q 60-120 S 80-160 P 100-200 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1159 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3

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2SB1159

1. 物料型号：2SB1159，由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介： - 该晶体管是硅PNP功率晶体管。 - 采用TO-3PFa封装，与2SD1714型号互补。 - 具有高fT（截止频率）和广泛的安全操作区域。 - 适用于高功率放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-140V（开路发射极） - 集电极-发射极电压（VCEO）：-140V（开路基极） - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V（开路集电极） - 集电极电流（Ic）：-7A - 集电极峰值电流（IcP）：-12A - 集电极功率耗散（Pc）：80W（Tc=25°C） - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C

5. 功能详解： - 饱和压降（VcEsat）：在Ic=-5A，Ib=-0.5A时，最大-2.0V - 基极-发射极导通电压（VBE）：在Ic=-5A，VcE=-5V时，最大-1.8V - 集电极截止电流（IcBO）：在VcB=-140V，Ie=0时，最大-50A - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-3V，Ic=0时，最大-50A - 直流电流增益（hFE）：在不同条件下，有不同的范围，例如在Ic=-20mA，VCE=-5V时，最小20；在Ic=-1A，VCE=-5V时，典型60至最大200；在Ic=-5A，VCE=-5V时，最小20。 - 输出电容（CoB）：在Ic=0，VcB=-10V，f=1MHz时，最大220pF - 转换频率（fr）：在Ic=-0.5A，VcE=-5V时，最大20MHz

6. 应用信息：适用于高功率放大器应用。

7. 封装信息：TO-3PFa封装，具体尺寸图已提供。

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