2SB1161

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
2SB1161 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1161 DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・Complement to type 2SD1716 ・High fT ・Wide area of safe operation APPLICATIONS ・For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -160 -160 -5 -12 -20 120 W UNIT V V V A A Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBE ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 COB fT PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-8A ;IB=-0.8A IC=-8A ; VCE=-5V VCB=-160V; IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-20mA ; VCE=-5V IC=-1A ; VCE=-5V IC=-8A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-5V 20 60 20 420 20 MIN TYP. 2SB1161 MAX -2.0 -1.8 -50 -50 UNIT V V μA μA 200 pF MHz hFE-2 classifications Q 60-120 S 80-160 P 100-200 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1161 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3

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2SB1161

1. 物料型号：2SB1161，由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介：2SB1161是一款硅PNP功率晶体管，与2SD1716型号互补，具有高fT和广泛的安全操作区域，适用于高功率放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-160V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-160V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-12A - 集电极峰值电流（IcP）：-20A - 集电极功耗（Pc）：120W（Tc=25°C时） - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 饱和压降（VcEsat）：在Ic=-8A，Ib=-0.8A时，最小值为-2.0V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：在Ic=-8A，VcE=-5V时，最小值为-1.8V。 - 集电极截止电流（IcBO）：在VcB=-160V，Ie=0时，最大值为-50A。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-3V，Ic=0时，最大值为-50A。 - 直流电流增益（hFE）：有三种不同条件下的增益值，分别为hFE-1（20至无限大），hFE-2（60至200），hFE-3（20至无限大）。 - 输出电容（CoB）：在Ic=0，VcB=-10V，f=1MHz时，值为420pF。 - 转换频率（fr）：在Ic=-0.5A，VcE=-5V时，值为20MHz。

6. 应用信息：适用于高功率放大器应用。

7. 封装信息：PDF文档中提供了2SB1161的封装外形图，具体尺寸未在文本中给出，但提到了未标明的公差为0.30mm。

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